多孔硅发光峰温度行为的研究

实验研究了多孔硅（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）光致发光峰随测量温度的变化，发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关． 随温度升高， 发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能， 而发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能， 发光峰波长位于７４０ｎｍ 附近的样品， 它们的发光峰与测量温度无关． 对上述结果的起源作了讨论．

纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理

用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。

辐照后食品超微弱发光性质的变化

干燥物质经过辐照处理后 ,其超微弱发光性质会发生一些变化。经过对多种样品辐照前后的超微弱发光性质的研究 ,依据加入测量液前后的发光变化 ,发现其超微弱发光可以分为四种情况 :( 1 )辐照后在加入测量液的情况下产生辐照特征峰 ;( 2 )超微弱发光性质始终无变化 ;( 3)辐照本身对超微弱发光性质无影响 ,测量液的加入使样品在辐照前后均能产生一明显超微弱发光峰 ;( 4 )辐照激发超微弱发光 ,测量液对此超微弱发光有猝灭作用。上述超微弱发光性质可以应用于辐照食品的检测。

脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光

采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc -SiC) ,并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为30 0～6 0 0nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc- SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加,而4 70nm附近发光峰相对减小。根据nc SiC薄膜的结构特性变化,认为这两个发光峰分别来源于6H -SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。

高质量氮化镓材料的光致发光研究

利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N的发光峰及其起源 ,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。

鲁米诺循环化学发光的理论与检验

循环化学发光是一种新颖的方法,随着其实验研究的不断成功,已经展示出许多意想不到的用途,但其理论研究还有待于突破。该文以鲁米诺体系为基础,结合钴的手性配合物增敏技术和单电子传递反应机理假设,展开了理论推演,获得了含义较为明确、经得起一些文献数据检验的循环化学发光理论公式;此外还推导出了若干与文献推测不甚相同但也能与一些实验数据相吻合的公式。根据所得公式,还能推演出循环化学发光的一些新测试方法,这将有助于该方法的深入研究和推广应用。

InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究

用 PL谱测试研究了 Ga As和不同 In组份 Inx Ga1 - x As(x=0 .1,0 .2 ,0 .3)覆盖层对分子束外延生长的 In As/Ga As自组织量子点发光特性的影响 .用 Inx Ga1 - x As外延层覆盖 In As/ Ga As量子点 ,比用 Ga As做覆盖层其发光峰能量向低能端移动 ,发光峰半高宽变窄 ,量子点发光峰能量随温度的红移幅度变小 .理论计算证实这是由于覆盖层 Inx Ga1 - x As减小了 In As表面应力导致发光峰红移 ,而 In元素有效抑制了 In As/ Ga As界面组份的混杂 ,量子点的均匀性得到改善 ,PL 谱半高宽变窄 .用 In Ga As覆盖的 In0 .5 Ga0 .5 As/ Ga As自组织量子点实现了 1.3μm发光 ,室温下 PL谱半高宽为 19.2 me V。

常压化学气相沉积方法制备非晶硅薄膜及其光致发光性能研究

使用改进的常压化学气相沉积 (APCVD)系统制备了非晶硅薄膜 ,测量了样品的光致发光特性 ,使用Raman光谱和X射线光电子能谱 (XPS)谱测量了薄膜的微结构特征。样品在 5 2 3nm出现发光峰 ,Raman光谱和XPS谱表明制备的薄膜结构中存在富氧相和富硅相的分相现象 ,分析认为相界面的存在是产生发光的原因。Raman光谱分峰结果表明薄膜中存在纳米晶粒。

掺杂GaAs/AlGaAs超晶格的激发态向受主中心跃迁的发光

在室温下测量了GaAs/Al0.28Ga0.72As超晶格的光致发光,发现在波长λ=764nm处存在一较强的发光峰。理论分析表明,此峰是量子阱阱口附近能级上的电子与受主杂质上的空穴复合发光。实验还观测到在λ=824nm和829nm处分别存在一发光峰。分析表明,λ=829nm和λ=824nm处的发光峰分别为激子发光和量子阱中基态电子与基态重空穴的复合发光;理论计算值与实验结果符合得很好。

7-氮杂吲哚在有机电致发光材料中的应用

7-氮杂吲哚及其衍生物可以作为有机小分子,也能以配体的形式通过与A l(III)、B(III)、Pb(III)等元素配位形成配合物,在发射蓝光的有机电致发光材料(EL)中得到应用。

硼酸盐绿色发光材料

本专利介绍了LaxGd1-x-yBiyMn2B3O60≤x≤0.50.001≤y≤0.10.001≤z≤0.2绿色发光材料的制备方法。这一发光材料在短波紫外线激发下,发出 Mn 的绿色发光,效率较高,其发光峰值在520nm。本专利介绍的这种发光材料可用于:1.同蓝色、红色发光材料按一定比例混合,用于制备普通照明的荧光灯。2.制备光化学过程、相纸用的荧光灯。3.制备照射患有高胆红素症的婴儿的荧光灯。

2(8-羟基喹啉)-2(苯酚)合锆薄膜的制备与性能研究

设计合成了一种新型的有机电致发光材料 2 (8 羟基喹啉 ) 2 (苯酚 )合锆 (Zr(OPh) 2 q2 ) ,制备了Zr(OPh) 2 q2 薄膜 ,并利用红外光谱、差热 热重谱、扫描电镜、X射线衍射谱、UV吸收谱和荧光光谱等方法研究了其晶态、热稳定性、能带结构以及光致发光机理。结果表明 ,Zr(OPh) 2 q2 的熔点为 381 2℃ ,分解温度为 4 6 7 1℃ ,具有非常高的热稳定性 ,利用真空热蒸镀方法很容易在经过净化处理的玻璃基底上形成高质量、无定形纳米级薄膜 ,在 390nm紫外光的激发下 ,Zr(OPh) 2 q2 薄膜产生发光峰为 5 2 5nm、半峰宽度为10 7 6nm的强黄绿色荧光 ,其粉体产生强黄色荧光 ,是一种性能优良的电致发光材料。

巯基包覆CdSe和CdSe/CdS核壳纳米晶的水相合成与表征(英文)

利用水相合成的方法制备了巯基包覆的具有较高荧光量子产率的CdSe和CdSe/CdS纳米晶 .水相合成方法的优点是原料低廉、安全可靠和重复性高 ,缺点是纳米晶的尺寸分布较宽 ,发光效率不是很高 .采用X—射线粉末衍射、吸收和荧光等光谱手段对纳米晶的平均尺度、粒径分布、晶体结构及发光特性进行了表征。在 77K到 3 0 0K的温度范围内 ,随着温度降低 ,CdSe纳米晶的发光峰逐渐蓝移 ,而CdSe/Cds纳米晶发光峰位基本不随温度变化而变化 .此外 ,在 3 2 5nm激光辐照下 ,CdSe/CdS纳米晶的荧光寿命比CdSe纳米晶延长了 6倍左右 ,稳定性大幅度提高 .以上结果表明 ,核壳结构的CdSe/CdS纳米晶具有较高的发光效率和良好的稳定性 ,具有广阔的应用前景 .

InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱

通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaNGaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响。观测到退火后InGaNGaN量子阱的拉曼光谱E2,A1(LO)模式的峰位置出现了红移,而且该振动峰的半高宽也有微小变化。温度升高退火效果更明显。退火使量子阱内应力部分消除,同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化。在常温和低温下的光荧光谱表明,退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移;而且低温退火出现红移,退火温度升高相对低温退火出现蓝移;同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了。讨论了退火对多量子阱光学性质的影响。

Co掺杂浓度对ZnO纳米棒结构和光学性能影响研究

采用水热法以不同浓度Co掺杂合成了具有六方纤锌矿结构的ZnO纳米粉体,通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱、X射线光电子光能谱分析法(XPS)、(光致发光)PL谱等分别对样品的形貌、结构、光学性能进行了测试和表征。结果表明:随着Co掺杂浓度的增大,纤锌矿ZnO的晶体结构没有改变,且Co以二价离子CO2+的形式掺杂进入ZnO晶格;同时花状ZnO纳米棒的均匀性变差,不同浓度Co掺杂ZnO纳米棒中均出现了少量且尺寸较小的单根纳米棒。PL光谱显示:随着Co掺杂浓度增大,样品的紫外发光峰没有明显地变化,而可见发光峰的强度先减小再增大,说明样品的缺陷先降低再提高。当Co掺杂的浓度为2.0%时,所制备的ZnO花状纳米棒可见发光峰相对最低,其具有较小的缺陷。

PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜(ncSiO_x:H)

首次报道了以SiH4、N2 O和H2 混合气体为原料 ,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜 (nc SiOx:H) ,未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象 ,发光峰位于 5 30nm(2 34eV)左右。通过红外光谱 (FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手段观察分析了薄膜的组成和结构 ,薄膜形成了纳米硅在氧化硅网络中的镶嵌式结构。发光强度随薄膜中氧含量的增加而提高 ,认为薄膜的发光主要是由于跟氧有关的结构缺陷引起的。

ZnO薄膜的光谱及能级

文章归纳了大量有关ZnO薄膜光致发光的实验结果,并与理论计算的能级图相比较,通过分析得出了以下结论:红光的发射与氧空位(V_o)及锌填隙(Zni)有关;绿光及蓝光的发射除与氧空位(V_o)及锌填隙(Zni)有关外,还与锌空位(V_(Zn))有关。

近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究

采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使(001)晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为(001)晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时(001)晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。

在量子阱中自组织量子点结构GaN/Al_xGa_(1-x)N的电子能谱

在有效质量近似框架内 ,采用绝热近似 ,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质 .计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高 ,随量子点尺寸的增大而降低 ,而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低 .说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移 ,与已知的实验结果一致 .

CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究

本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成．它们具有两个起因，其中能量较低的一个是ＣｕＣｄ，另一个与Ｃｄ空位ＶＣｄ有关．