脉冲激光烧蚀制备窄发光带的分散Si纳米颗粒

采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀高阻多晶Si靶,分别在液氮冷却至200K的高定向石墨(HOPG)和单晶Si(100)衬底上制备分散单晶Si纳米颗粒。采用拉曼谱(Raman)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析证实Si纳米晶粒的形成。结果表明:所形成的纳米Si颗粒具有均匀分散性,相应的光致发光峰位出现在585nm,峰值半高宽为70nm;与相同参数下常温衬底的结果相比,所形成的纳米Si颗粒具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象;Si纳米颗粒尺寸的均匀分布是窄发光带的主要原因。

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移现象．从变温光致发光谱得到在温度Ｔ＜５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝１１．２ｍｅＶ；在温度Ｔ＞５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝６７ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝３２ｍｅＶ．根据实验结果，我们提出，ＮＸ和ＮΓ中心分别来自孤立Ｎ中心和Ｎ束缚激子分子的发光．

高温空气中CO^+分子发光带系Franck-Condon因子的计算

在双原子分子核运动的波动方程中，计入分子的振转相互作用项，得出的波函数除与振动量子数有关外，还与转动量子数有关。用该波函数络程计算了高温空气中ＣＯ分子发光带系因子。计算中转动量子数Ｊ的取值为０～１８０，结果适用于低温、高温和强激波条件。

GaInP_2外延膜中施主──受主对复合发光带的能量关量

通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ方法、生长在ＧａＡｓ衬底上的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ（ＧａＩｎＰ２）外延薄膜的１．１７ｅＶ发射带的发光特性。１．１７ｅＶ发光带性质与０．９９ｅＶ及０．８５ｅＶ发光带的性质有着明显的差别。１．１７ｅＶ发光带的机理可用施主－受主对的复合发光来解释，其中施主－受主对系白处在Ｇａ格位上的Ｓｉ（ＳｉＧａ）及其最邻近的Ｇａ空位（ＶＧａ）所组成，记作ＳｉＧａ－ＶＧａ。考虑到ＧａＩｎＰ２中存在着很强的电子－格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序，所以在施主－受主对复合发光中应计及Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移△ＦＣ及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Ｅｓ（ＤＡＰ）。Ｘ—射线衍射实验表明，部分有序结构相当于成分调制，因而可用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型来计算Ｅｓ（ＤＡＰ）值。这样，我们就导出了施主－受主对复合发光的新的能量表示式。

窄谱带稀土配合物发光材料及电致发光器件

具有窄带发射的稀土配合物发光材料 ,因其具有高荧光量子效率 ,高色纯度等特点 ,被用于制备有机电致发光器件。本文对稀土配合物的发光原理、电致发光的研究现状、存在问题及应用前景作了概述。

图案化锥形氧化锌纳米带的原位热氧化法制备与发光性质

采用光刻技术制备出图案的锌膜,所得锌膜与纯氧在700℃氧化反应10 min,在锌膜的表面上原位生长出具有图案的锥形ZnO纳米带阵列,实现了ZnO纳米带生长位置的可控生长。锌膜上得到的锥形ZnO纳米带为单晶六方纤锌矿结构,长度在1～4μm,纳米带根部和顶部的宽度分别在300～700 nm和100～300 nm。提出了锥形ZnO纳米带的可能生长机理。在波长为300nm光的激发下,发现了锌膜上锥形ZnO纳米带具有发光峰位于395 nm弱的紫外光发光和510 nm强的蓝绿光发光,它们分别起源于ZnO宽带隙的激子发射以及表面上离子化氧空位中的电子与价带中光激发的空穴之间的复合。

楼梯脚踏发光带

楼道里的路灯是公用的,坏了也无人问津,遇到停电时更是整幢楼黑乎乎的一片,给人们上下楼带来很大不便。楼梯脚踏发光带铺设在每级台阶的中间位置,它可以将自然光转换成电能储存起来。

ZnO/SiO_2的激光诱导发光光谱研究

用激光诱导发光光谱技术对一系列不同 Zn O担载量的 Zn O/Si O2 及在不同焙烧气氛下制备的 Zn O/Si O2 材料进行了深入的研究 ,发现在空气气氛中焙烧的 Zn O/Si O2 主要出现 Zn O的橙色发光带 (中心位于670 nm) ,但在氩气气氛中焙烧制得的样品主要呈现 Zn O的绿色发光带 (中心位于 5 40 nm) ,且明显观察到橙色发光带和绿色发光带之间的转化 . Zn O的可见光区发光带可能是由 Zn O中的氧缺陷引起的 ,高浓度的氧缺陷引发绿色发光带 ,而低浓度的氧缺陷引发橙色发光带 .结果表明 ,激光诱导发光光谱是一种表征缺陷的有力工具 ,常规表征技术很难对材料的缺陷状态进行表征 . XRD衍射图谱表明 ,样品中 Zn O是以纤锌矿结构存在的 ,紫外 -可见漫反射光谱和拉曼光谱显示 ,Zn O主要以大颗粒状态覆盖在 Si O2

高质量氮化镓材料的光致发光研究

利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N的发光峰及其起源 ,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。

Er^3＋：Y2O3透明陶瓷制备及发光性质研究

以Y2O3为基质材料,掺杂不同含量的Er3+,采用共沉淀法制备出性能良好的Er3+∶Y2O3纳米粉,并将粉体在1700℃和真空度为1×10-3Pa下烧结8h得到Er3+∶Y2O3透明陶瓷。用X射线衍射仪(D/MAX-RB)、透射电子显微镜(EM420)、自动记录分光光度计(DMR-22)、荧光分析仪(F-4500)和发射波长为980nm的半导体激光器分别对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明:Er3+完全固溶于Y2O3的立方晶格中,Er3+∶Y2O3粉体大小均匀,近似球形,尺寸约40～60nm左右。Er3+∶Y2O3透明陶瓷相对密度为99.8%,在长波长范围内其透光率超过60%,在波长为980nm的激光下有两个上转换发光带,其中绿色发光中心波长位于562nm,红色发光中心波长位于660nm,分别对应4S3/2/2H11/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2的跃迁;随着铒浓度的提高颜色从绿色向红色转变,Er3+的掺杂浓度不宜超过2%,超过这个范围,对材料发光强度的增强作用反而很小。

掺铝多孔硅光致发光谱研究

报道了多孔硅掺入杂质铝处理的一种新方法。观测了处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱出现 4个与铝杂质能级有关的发光带。

含硅氮/氧化物基质白光发光二极管发光材料的研究进展

白光发光二极管(light emitting diode,LED)应用于常规照明的快速发展需要具有"暖"白光输出的高功率白光LED,而目前常用的氧化物基质发光材料,如:铈掺杂钇铝石榴石(cerium doped yttrium aluminum garnet,YAG:Ce)及Eu2+激活碱土硅酸盐很难满足该要求。因此,发展具有红色发光成分和优越温度特性的发光材料是当务之急。以SiO2,Si2N2O和Si3N4为基本反应单元,它可以与M'2O(M'=碱金属)、MO(M=碱土金属及Zn等)、Re2O3(Re=稀土,Al,B)、M'3N、M3N2、ReN、AlN及BN等反应,生成一系列的硅氮/氮氧化物基质发光材料,如:M'Si2N3,MSiN2,M2Si5N8,MSi2N5,Si3N4·ReN,Si3N4·2ReN,Si3N4·3ReN,Si3N4·6ReN,MReSi4N7,MAlSiN3,Si2N2O·MO,Si2N2O·3MO,Si2N2O·Re2O3,Si2N2O·2Re2O3,Si3N4·2MO,Si3N4·Re2O3,2Si3N4·Re2O3和SiO2·ReN……这些以(Si,Al)(O,N)4四面体为结构基元的硅氮化合物,具有比氧化物更高的化学稳定性及更强的共价性;某些5d→4f跃迁的稀土离子,如:Eu2+,Ce3+和Yb2+,在该基质材料中具有很宽的激发带和高效的长波长发射特性,并且它们的组成可以在很宽的范围变化而不改变其晶体结构,因此可实现从绿色到红色光谱范围的发光,如:氮氧化物可实现黄绿色发光,而纯氮化物可实现红色发光。因而,用该硅氮化合物发光材料封装的白光LED可实现"冷"白到"暖"白光输出,且对温度和驱动电流的变化不敏感,是目前色彩稳定性最高的白光–LED。本文综合评述了近年来硅氮/氮氧化物基质白光LED发光材料的研究结果与最近进展,系统地归纳、总结了硅氮/氮化物基质白光LED发光材料的晶体结构、发光性能、以及应用特性,并分析了目前国际上对该材料的研究动态及应用情况。

In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响

研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子尺度的差异 ,N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。

ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。

近红外量子点的发光机理研究

近红外量子点具有独特的光学性质,如荧光量子产率高,荧光寿命长,荧光发射波长可调,半峰宽窄且斯托克斯位移较大,耐光漂白能力强等,及"近红外生物窗口"的优势,使它们在生物荧光标记、太阳能电池、量子化计算、光催化、化学分析、食品检测及活体成像等领域具有巨大的潜在应用价值。目前对近红外量子点的发光机理研究还不够完善,针对国内外的研究现状,重点对核/壳结构的量子点(CdTe/CdSe,CdSe/CdTe/ZnSe等)、三元量子点(Cu—In-Se,CuInS_2等)和掺杂型量子点(Cu:InP等)三种不同类型近红外量子点的发光机理进行了综述。其中,Type-Ⅱ型核/壳结构量子点的发光机理多为带间复合发光,三元量子点以本征缺陷型发光为主,掺杂型量子点多为杂质缺陷型发光。探讨了近红外量子点发光原理存在的问题及发展的方向。对近红外量子点的发光机理进行系统地研究不仅有助于我们理解近红外量子点的发光性质,而且对完善相似高品质量子点的合成方法具有重要意义。

发光层

针对硅酸盐发光材料量子效率低（不大于50%）的问题,本专利介绍了加有 Pb 的硅酸盐、硅磷酸盐、硅硼酸盐、硅磷硼酸盐绿色发光材料的制备方法,这些材料用作荧光灯的发光层.实例1按 CaCO30.502克、CaF0.414克、PbO0.112克、SrCO31.418克、La2 O33.666克、Gd2O31.359克、SiO22.118克称量,并按混合物重量的2%加入 NH4F,均匀混合,在空气中1350℃加热1小时,再按生成物重量的10%加入 NH4Cl 均匀混合后,空气中1250℃加热1小时,冷却后得到 Pb、Gd

发光器件及应用

TN383 97010022老化产生的深能级对GaP纯绿发光二极管发光效率的影响=The influence of deep leveIs to thedegradation on the luminescence efficiency ofGaP pure green light-emitting diodes[刊,中]/苏锡安,高瑛,赵家龙。