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名义上无序的GaInP合金的发光瞬态过程研究
1
作者 吕毅军 高玉琳 +3 位作者 郑健生 蔡志岗 桑海宇 曾学然 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期186-189,共4页
报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰... 报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰退规律 ,在低激发强度下 ,符合双指数衰退规律 ;而在 30 0K下 ,衰退过程都符合双指数衰退规律 .在 展开更多
关键词 有序度 无序 Ⅲ-V族半导体 GaInP合金 发光瞬态过程 激发强度 衰退过程
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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究
2
作者 俞容文 黄旭光 +1 位作者 郑健生 颜炳章 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期216-220,共5页
采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．
关键词 Ⅲ-Ⅴ族 半导体 杂质 发光瞬态过程 混晶半导体
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