并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作

采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、无裂痕,符合制备器件的要求。然后,制备出有机场效应管。并对有机场效应管I V特性和发光机理进行了分析探讨。

大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管

为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺对超辐射发光管器件性能的影响。在1.6A脉冲电流注入下,湿法腐蚀制备的器件峰值输出功率仅为7mW。与湿法腐蚀相比,干法刻蚀可以精确控制波导形状和参数,降低波导损耗,有效增大器件输出功率。

量子点超辐射发光管研究进展

简要回顾了超辐射发光管(SLD)的发展历史、量子点SLD的提出及优点,介绍了SLD的工作原理、器件结构及表征参数,详细分析了近年来国内外各研究小组在提高量子点SLD性能方面的研究进展。基于自组织量子点的尺寸非均匀分布特征、优化的有源区结构设计以及高的光学质量,量子点SLD目前的研究水平已远远超过量子阱SLD。例如,量子点SLD的输出光谱宽度可达到150nm以上,输出功率可达到百mW量级。简要介绍了SLD在光纤陀螺仪、光学相干断层成像术、光纤通信、宽带外腔可调谐激光器等方面的应用,讨论了量子点SLD研制中存在的问题、解决方法和发展趋势。量子点SLD在展宽光谱和提高输出功率上展示了巨大的潜力,它的成功有力地推动了其他宽增益谱器件的研制。

InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级

本文用DLTS谱仪研究了SiO_2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。

新型圆柱结构的场发射碳纳米管发光管

设计了一种新型结构的场发射碳纳米管发光管,采用热解法直接生长在钨丝上的碳纳米管作为发光管阴极,获得了新的碳纳米管生长工艺.扫描电子显微镜的表面形貌分析表明,钨丝上碳纳米管的顶端有许多分叉.在常温且真空度为10-4Pa的条件下,测试了钨丝上碳纳米管的电流-电压发射特性,测得开启电场强度为1.25 V/μm左右.当电场强度为2.0 V/μm时,电流密度可达320 A/m2.测试了发光管的发光特性,当电压为300 V时,亮度可达1 600 cd/m2.这种低成本、低耗能、高亮度的新结构碳纳米管发光管,有效地提高了场发射效率和发光亮度,可用于交通指示和大屏幕显示器.

阳极氧化法制备超辐射发光管实验研究

采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AlGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作,研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10 mW以上的超辐射光输出,光谱宽度约为18 nm.

氚气自发光管及其应用

介绍了氚气自发光管结构、性能特点,使用的经济性与安全性,分析其应用前景,对其在民用领域使用可能带来的辐射安全问题及其对策进行了讨论。

基于红外发光管的快速视点跟踪装置研究

提出一种基于红外发光管的快速视点跟踪装置,解决目前视点跟踪技术的硬件开销大,提高响应速度慢的问题。通过控制红外发光管的明暗得到图像,并采用分水岭的方法进行灰度分割,得到关于瞳孔的边缘及其在面部的相对位置,算法复杂度低,可以得到很好的实时效果;将得到的被测者瞳孔的图像拟合成连续的曲线,根据瞳孔的边界位置、边界的斜率计算出瞳孔的中心位置。该方法计算简单,并可以判断当瞳孔部分被眼睑遮住时的瞳孔中心位置。该装置在需要快速反应的场合及便携式设备中能有效提高响应速度,解决目前视点跟踪技术的应用环境要求高及算法复杂度高的问题。

发光管和光电管的性能测试和分析

本文介绍了光电传感器中常用的OPTEK公司生产的OP233发光管和OPR2101光电管的电流、电压、参数一致性以及它们的光电耦合效率的测试原理和测试结果,并分析了这些测试结果和现象的原因。在发光管与光电管的相对位置不变时,发光管激励电流与光电管输出电流近似成正比。发光管与光电管的耦合效率的试验研究表明,光电耦合效率随着它们之间的垂直距离增加并非单向减小,而是在4mm^5mm处出现第二个极大值;随着它们之间切向偏移量的增加急剧减小,但是在偏移量大于2mm时出现了另一个较小的极大值。分析认为耦合效率出现多个极大值是由于发光管的光照强度随光斑半径非连续衰减导致的,该推测得到了试验验证。其它型号的发光管和光电管也存在同样的规律。

GaAlAs/GaAs发光管中深能级与暗缺陷关系

本文用 DLTS 和瞬态单电容技术研究了液相外延生长的 GaAlAs/GaAs 有源层掺 Si 器件的深能级,用红外显微镜测量了近场 EL 图像,研究了深能级及暗结构缺陷对器件的影响及它们间的关系。

长波长1．3μm超辐射发光管的制备

对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。

γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。

Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。

InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究

本文研究了光纤通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的频响特性。结果表明:器件有源区掺杂浓度;有源层厚度;注入电流;光谱特性;P-n结特性等因素,对发光管的频响特性有重要影响。老化前有源区DSD的存在与否对频响无明显关系。

纳米氧化锌薄膜发光管的研究

目的:本文是为研制一种新型节能的纳米氧化锌薄膜发光管进行了研究。方法:采用低成本的丝网印刷方法制备纳米氧化锌薄膜,然后经过热烧结和退火等工艺进行处理。结果:实验结果表明经过热烧结和退火处理等工艺后,氧化锌薄膜具有良好的场致发射特性,且发射电流比较均匀稳定。结论:场致发射条件下的阳极发光亮度均匀稳定,说明热烧结和退火处理工艺得到的纳米氧化锌薄膜可用于制作发光管,并且是毫瓦级功耗的节能发光管。

1.55μm超辐射发光管端面减反射膜的研究

减反射膜层折射率和厚度的精密监控是超辐射发光管的关键技术。分析了超辐射发光管端面减反射膜的四种膜系,提出了监控薄膜厚度的挡板调制、高级次过正极值法。采用该法制备超低剩余反射膜的实验表明:单面镀膜后,砷化镓基片的剩余反射率达到0.04%;管芯的反馈谐振被抑制,出现超辐射现象,峰值波长从1610nm移动到1560nm,蓝移约60nm,光谱纹波小于0.3dB。

1．06μm大功率红外发光管的研制

本文扼要介绍了1．06μm发光管的主要应用领域及材料和其器件研制。给出了特性曲线。并综合介绍了有关发光管的系列产品。

GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级

本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。