CeF3等新型晶体发光衰减时间的测量及数据处理

本文描述了ＣｅＦ３等新型晶体发光衰减时间的测量及其数据处理。内容包括快，慢符合多道时间谱仪的研制及软件开发。

平均波形取样法时间测量装置

本文着重介绍了装置的原理、逻辑方法以及用该装置对我厂生产的和国外的几种快闪烁体发光衰减时间的测量结果。 所描述的装置主要由闪烁探头、7000兆取样示波器、经过改装的FH—419G_1型512道分析器及时序控制器所组成。对契伦柯夫光的响应半宽为2.8ns。分析的动态范围为两个数量级,对塑料闪烁体发光衰减时间的测量误差小于0.1ns。 另外,该装置还可用于测量半导体探测器的上升时间以及其它波形相似、上升及下降时间为毫微秒量级的电脉冲。

PbWO_4∶(Mo,Y)晶体的闪烁性能研究

用改进的坩埚下降法生长PbWO4:(Mo,Y)和纯PbWO4闪烁晶体。对切自毛坯晶体籽晶端的23mm×23mm×20mm六面抛光样品进行了吸收光谱、超短脉冲X射线激发荧光寿命、光产额和辐照损伤性能的测试。结果表明:Mo,Y双掺杂能显著增强PbWO4晶体的辐照硬度,在35Gy/h的剂量率下辐照24h后,纯PbWO4晶体的光产额变化率为52.4%,而PbWO4:(Mo,Y)晶体的光产额变化率仅为17.5%。Mo,Y双掺杂也改善了PbWO4晶体在350-420nm范围内的光学透过性能,并且PbWO4:(Mo,Y)晶体的平均发光衰减时间缩短为8.5ns,较之纯PbWO4晶体(15.2ns)更快。

钨酸铅晶体性能研究

对钨酸铅晶体的激发光谱和荧光光谱、绝对光产额和相对光产额以及发光衰减时间的测试结果表明，钨酸铅晶体可在高能物理实验中用于测量高能电磁簇射粒子。

闪烁光纤发光时间特性的测量

文中介绍了闪烁光纤发光时间常数的测量方法及测量系统本身时间分辨的校正方法 ,并对两种塑料闪烁光纤的时间特性进行了测量 .

CdSe／CdMnSe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构。利用X射线衍射（XRD）、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子减时间不同，认为它的机理可能是无辐射复合引起的。

纳秒塑料闪烁体

本文简要叙述了ST1422型纳秒塑料闪烁体的研制机理及特点和主要用途。对影响发光衰减时间的两个因素进行了讨论。

a-Si:H/a-SiN_X:H超晶格的瞬态光致发光

本文用超快速时间分辨光致发光方法研究了a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格光生载流子热释和复合的动力学。

垂直梯度凝固法生长PbWO_4∶(F,Y)晶体的光学性能(英文)

采用垂直梯度凝固法成功生长出直径为27mm、长为110mm,具有可控形状和形态的F-和Y3+共掺钨酸铅[PbWO4∶(F,Y)]晶体。通过透射光谱、荧光光谱、光产额、衰减时间等对钨酸铅晶体光学性能进行了表征。结果表明:与纯钨酸铅晶体相比,垂直梯度凝固法生长的PbWO4∶(F,Y)晶体在320~420nm的短波范围的光学透过率明显提高,光吸收边更尖锐;荧光光谱为350~580nm范围的宽峰,发射主峰为420nm;光产额达到50p.e/MeV(1 000ns内),发光衰减时间为5ns。