磁分离结合CdTe发光量子点标记黄曲霉毒素B1免疫检测新方法

将发光量子点标记技术与磁分离富集技术相结合，基于竞争免疫分析，成功构建了黄曲霉毒素B1（AFB1）免疫检测新方法。首先合成了巯基丙酸包覆的CdTe发光量子点，同时采用水热法合成了氨基化磁性纳米粒子．通过TEM成像、荧光光谱、XRD、红外光谱等分别对其进行了表征。随后以AFB1人工抗原功能化磁性纳米粒子作为捕获探针，以发光量子点标记免疫球蛋白C（二抗）作为信号探针，基于磁性纳米粒子表面AFB1人工抗原和样品中AFBl与AFB1单克隆抗体之间的竞争免疫结合，建立了AFB1新型检测方法。实验优化条件下，荧光强度与黄曲霉毒素B。质量浓度在0．1～100ng／mL范围内呈良好的线性关系，检测限为0．03ng／mL。实际样品中加标回收实验结果表明．新方法准确性良好。

发光量子产额的测量

本文从实用的角度,介绍了国内外提出的某些测量发光量子产额的方法。内容涉及溶液和固体(及固体基质上)样品发光量子产额测量的两大类方法,即光谱法和量热法(包括光声光谱法)。

光浴对CH_3NH_3PbI_3薄膜光致发光量子效率的影响

研究了CH_3NH_3PbI_3薄膜在光浴条件下的光致发光量子效率演化行为。在光浴过程中,CH_3NH_3PbI_3薄膜的光致发光量子效率表现为先增大再减小的变化趋势。发光动力学测量实验表明,在光浴过程中,CH_3NH_3PbI_3薄膜的载流子复合寿命与光致发光量子效率具有相同的变化趋势,即先增大再减小。根据实验结果可以推断,光浴引发CH_3NH_3PbI_3薄膜发生两种物理过程,分别使其光致发光量子效率升高和降低。两种过程共同决定了CH_3NH_3PbI_3薄膜在光浴条件下的光致发光量子效率演化行为。

发光量子点表面性质调控在亚细胞水平离子纳米传感器开发应用中的研究进展

近年来,离子平衡紊乱引起的相关疾病引发了人们对于亚细胞水平的离子纳米传感器的研究兴趣。本综述以氯离子与氢离子为阴阳两种离子的典型代表,主要综介绍了这两种离子紊乱所引起的各种重要疾病,并探讨了利用发光量子点表面性质调控来开发相关的纳米级传感器研究进展,最后展望了这个领域的未来发展方向。

离子掺杂调控双钙钛矿量子点发光性能的研究进展

铅基卤化物钙钛矿发光材料因具有灵活的晶体结构、带隙可调性、缺陷容忍性和高荧光量子产率等优异性能而备受关注.但金属铅的毒性和钙钛矿的稳定性一直是阻碍其商业应用急需解决的问题.因此,需要探索更绿色环保的非铅金属卤化物类钙钛矿发光材料.近年来,通过替换铅离子发展起来的非铅双钙钛矿结构成功实现了低毒性和高稳定性,但由于其是间接带隙或因为宇称禁阻的直接带隙而造成光致发光效率极低.为了解决此问题,研究人员开发了离子掺杂策略,实现了光致发光效率的提升.本文综合评述了非铅双钙钛矿材料的晶体结构和发光性能,归纳了主族金属、稀土金属和过渡金属掺杂对非铅双钙钛矿发光性能的影响及其发光机制.最后,对离子掺杂策略的应用和进一步提升非铅双钙钛矿发光材料的性能进行了总结和展望.

SrB_2O_(4～y)X_y:Eu^(2+)(X=F,Cl)的高压立方相的发光量子效率

由于Eu2+的5d电子是裸露的,所以对其周围的环境变化极为敏感.晶体结构,晶格中阴阳离子种类、离子半径以及元素电负性等都能明显地影响Eu2+的发光特性.SrB2O4:Eu2+高压立方相的发光量子效率比其常压正交相提高100倍,就是因为Eu2+从正交相中（BO2）∞链分隔的开放环境变成立方相中BO4四面体隔离的封闭环境所引起的.在M2B5O9X:Eu2+(X=Cl,Br;

PAMAM树形分子模板法原位合成发紫光CdS量子点的研究

Well-dispersed CdS quantum dots (QDs) with narrow size-distribution were prepared using generation 4.5 ester-terminated PAMAM dendrimers as inner-templates. The average diameter of CdS QDs was 1.5 nm and the photoluminescence was purple. The room temperature photoluminescence quantum yield (RT-PQY) was 0.015. The diameter of CdS QDs increased with the increase of n / nPAMAM, also the color of photoluminescence was tunable and could be changed from purple to blue.

高效率钙钛矿量子点发光二极管研究进展

钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发光光谱可调、光谱宽度窄、缺陷容忍度高以及独特的量子限域效应等优点,因此成为研制新型高效率发光二极管(LED)的热门材料。本文介绍了近几年基于钙钛矿量子点LED的研究最新进展。首先,介绍了钙钛矿量子点独特的晶体结构及钙钛矿发光器件的工作原理。然后,阐述了合成高光致发光量子产率(PLQY)量子点的方法及提高钙钛矿量子点LED效率的若干方法。最后,分析了当前钙钛矿量子点LED所面临的挑战如不稳定性及毒性,以及可应用在显示和照明方面的高效率LED所展现的前景。本综述为研制更高效率以及更加安全的钙钛矿量子点发光器件提供了有益的见解。

Pr^(3+)掺杂铯铅卤钙钛矿量子点的稳定可调色蓝光发射

卤化钙钛矿型发光二极管(PeLED)的窄发射峰有望用于下一代显示器和照明,但是能量转换效率特别是蓝色PeLED的转换效率仍然低于常规无机和有机LED的效率。在这些钙钛矿中用毒性较小的元素(通常是过渡金属和各种镧系元素)取代Pb,可在保持窄的发射特性的同时提高能源效率。本文介绍了Pr^(3+)掺杂与Cl-Br卤化物交换结合的效果,产生了一系列蓝色发射量子点,峰值波长可在430~490 nm范围内可调,这些蓝色Pr^(3+)-CsPb(Br/Cl)3量子点的光致发光量子产率(PLQY)比未掺杂Pr^(3+)的量子点相比提高了2~3倍。本文还研究了Pr^(3+)掺杂蓝光量子点在365 nm紫外线照射下和高温加热时的稳定性,掺杂后的蓝光量子点的光热稳定性提升。

量子点材料在发光二极管中的应用前景

量子点（QD）发光材料具有发射频率随尺寸变化而改变、发射线宽窄、发光量子效率相对较高以及超高的光稳定性和溶液处理的特性。在过去的20年间．无机发光体已经被广泛应用于光电子学和生物医学等领域。其中，来自于中国和美国的研究人员已经深入地研究了高质量的多色量子点发光二极管（QD-LEDs）器件的物性，奠定了这些器件性能改进和优化的基石。

10-甲基吖啶苯酚酯衍生物的合成、表征及化学发光特性

吖啶-9-羧酸苯酚酯是一类效率较高的化学发光试剂.其结构一般有两部分组成,吖啶环发光部分和9-羧酸苯酚酯离去基团.本文对离去基团进行修饰,分别在离去基团苯酚部分的2,5或2,6位引入取代基CF3、NO2、Br、CH3,合成了4个新吖啶酯衍生物,并对它们的分子结构进行了表征.4个新化合物和模型化合物(无取代基)比较,均表现出较好的化学发光效率;发光动力学基本符合文献报道规律.而且化学发光法对其水解稳定性考察显示,取代基的电性和位阻是影响稳定性的两大因素.

紫外-可见吸收光谱研究CdS量子点生长动力学

近年来，CdS、Cdse、ZnS等发光量子点由于其独特的量子尺寸效应和光稳定性在光学生物标记、传感、太阳能电池、发光器件等领域具有广泛的应用前景而受到持续的关注。由于量子点纳米晶的光学和电学性质与其尺寸、表面状态及微观缺陷结构密切相关，如何调控量子点尺寸、表面状态及微观缺陷结构成了获得优质发光性质的关键。

荧光编码微球—流式细胞和生化分析技术及其最新发展

简述了流式细胞术的发展历史和工作原理。对该技术与荧光编码微球技术相结合而发展起来的高通量细胞和生化分析技术及其最新发展作了评述。流式细胞术是一种对流动液体中排成单列的细胞逐个进行检测的技术 通过检测得到相应细胞的光散射和荧光信号 进而测定细胞的大小、形状、DNA、RNA、表面受体、酶活性、膜通透性和钙流量等 在癌症和爱滋病研究 新药开发、干细胞和基因治疗、遗传学、家畜性别选择、农作物新品种开发等方面部有广泛应用。采用顺序进样技术,则可不必加压而实现少量样品的自动分析和作亚秒水平分子相互作用的动力学测量。将该技术与近年发展起来的荧光染料编码微球技术相结合,则成为一种可以与生物芯片技术相媲美的多组分同时分析技术。采用微流控芯片技术和发光半导体量子点编码微球技术 进一步改善了方法的适用性,某些主要性能甚至超过了生物芯片技术,有望从研究实验室逐步进入临床实验室,最终进入病房和寻常百姓家 成为防病、诊断和监护病人的重要手段。

蓝光LED激发Cr^(3+)掺杂宽带近红外荧光粉研究进展

宽带近红外光源可广泛应用于非侵入式探测、军事侦查、食品检测、医疗成像等领域。采用近红外(NIR)荧光粉和蓝光LED芯片组合成荧光转换发光二级管,作为NIR光源,具有技术成熟、结构紧凑、成本低等优点。本文综述了蓝光LED激发Cr^(3+)掺杂宽带近红外荧光粉研究进展。首先,回顾了Cr^(3+)发光的晶体场理论,并根据材料体系梳理了近来报道的Cr^(3+)掺杂近红外荧光粉;其次,鉴于近红外荧光粉在光谱范围、耐温性、输出功率、电光转化效率等方面依旧存在不足,总结了在机理上优化光谱学性能、改善热猝灭性能和电光转换效率的研究工作;最后,较全面地总结了Cr^(3+)掺杂NIR荧光粉的器件化应用研究进展。

热注入法制备的钕掺杂蓝光钙钛矿量子点

金属卤化物掺杂钙钛矿纳米晶体(NCs)已被证明可以通过精确控制非辐射复合来提高光致发光量子产率(PLQY)。通过热注入法合成了三价镧系元素卤化物氯化钕掺杂的钙钛矿蓝光量子点,通过X射线光电子能谱(XPS)观察到Nd 3d和Cl 2p的核心峰,这说明Nd^(3+)和Cl^(-)成功掺杂到NCs中。这些蓝光Nd^(3+)-CsPb(Br/Cl)_(3)量子点具有较高的光致发光量子产率,并且随着Nd^(3+)掺杂量的增多,其光热稳定性得到很大提升。

多色高分子薄膜电致发光器件

采用多层高分子发光层和电极层结构实现了在同一ITO基片上产生红、绿、蓝三基色发光。得到电压阈值分别为:蓝色:2 5V,绿色:2 5V,红色:1 8V;发光量子效率:蓝色:2 5%,绿色:1 7%,红色:1 2%;色度坐标分别为:蓝色:(0 16,0 16),绿色:(0 34,0 58),红色:(0 60,0 39)。这种多层薄膜结构可能成为实现高分子彩色发光显示的新途径。

基于N型纳米晶硅氧电子注入层的钙钛矿发光二极管

钙钛矿材料由于其禁带宽度可调、光致发光量子产率高、色纯高等优点,使得其在发光器件上具有巨大的应用潜力.电子注入材料是钙钛矿发光器件中的重要组成部分,特别是n-i-p型发光器件,其直接影响后面钙钛矿的生长情况.本文通过向钙钛矿发光二极管中引入一种新型电子注入材料,n型纳米晶硅氧(n-ncSiOx:H)借助于n-nc-SiOx:H薄膜平滑的表面,有效地提高了沉积钙钛矿薄膜的结晶质量,同时其能带结构更加匹配,有效地降低了电子的注入势垒.为了进一步提升器件性能,向钙钛矿材料中引入合适比例的甲基溴化胺(MABr)、氯苯反溶剂中引入一定量的苯甲胺(PMA),通过MABr和PMA的协同作用提高了钙钛矿薄膜的覆盖率,降低了钙钛矿薄膜表面的缺陷密度,抑制了钙钛矿薄膜退火过程中的发光猝灭,最终获得了最大电流效率为7.93 cd·A^-1、最大外量子效率为2.13%的n-i-p型钙钛矿发光二极管.

金属离子掺杂提高全无机钙钛矿纳米晶发光性质的研究进展

金属卤化物钙钛矿纳米晶由于其卓越的光电子性能,在发光二极管、激光器、X射线成像、太阳能电池及光电探测等领域中受到了极大的关注.与有机-无机杂化钙钛矿纳米晶相比,全无机钙钛矿CsPbX3(X=Cl,Br,I)纳米晶具有更优异的光电性能和更高的稳定性.为进一步提高CsPbX3纳米晶的光致发光量子效率和稳定性,有研究已经着手调控纳米晶的微观结构,减少作为非辐射复合中心的缺陷.近年来,在金属离子掺杂CsPbX3纳米晶过程中,发现不同种类和不同掺杂浓度的金属离子对其电子能带结构和光致发光性能有着巨大的影响,基于金属离子掺杂取得了光致发光量子效率接近100%的CsPbX3纳米晶.本文综述了近年来在CsPbCl3,CsPbBr3,CsPbI3和Mn^2+掺杂CsPbX3(Mn^2+:CsPbX3)四种体系中通过金属离子掺杂提高全无机钙钛矿纳米晶光学性能的研究进展及其性能提升的物理机制.此外,提出了下一步还需要深入研究的一些问题和策略,通过这些问题的深入研究,希望能促使全无机钙钛矿纳米晶在各种光电器件中得到更广泛的应用.