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晶体管发射区归一化面积的温度谱 被引量:3
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作者 苗庆海 杜文华 +2 位作者 张兴华 吴洪江 张德骏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期53-56,共4页
从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了... 从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果。 展开更多
关键词 芯片表面 红外像图 发射区像图 晶体管结温不均匀性 发射区热谱 红外 峰值结温
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