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薄膜材料与器件
1
《中国光学》 EI CAS 2002年第6期52-52,共1页
O484.4 2002064340具有铌化合物薄膜硅微尖 FEA 的场发射性能=Field e-mission characteristics of silicon-tip FEA with Nblayers[刊,中]/季旭东(华东电子集团公司,南京(210028))∥光电技术.—2002,43(2).—46-49介绍了在硅微尖 FEA ... O484.4 2002064340具有铌化合物薄膜硅微尖 FEA 的场发射性能=Field e-mission characteristics of silicon-tip FEA with Nblayers[刊,中]/季旭东(华东电子集团公司,南京(210028))∥光电技术.—2002,43(2).—46-49介绍了在硅微尖 FEA 上制备的铌化合物薄膜,并对该类膜改进硅发射微尖的场发射性能做了说明。图6参4(杨妹清) 展开更多
关键词 场发射性能 硅微尖 铌化合物 光电技术 发射微尖 有限元分析 器件 集团公司 薄膜材料 薄膜技术
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电子器件基础
2
《电子科技文摘》 2000年第1期18-19,共2页
0000209FEA 场发射微尖的一些氮化物薄膜[刊]/季旭东//光电子技术.—1999,19(3).—207～211(B)一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性能,适合于用作 FEA 发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与性... 0000209FEA 场发射微尖的一些氮化物薄膜[刊]/季旭东//光电子技术.—1999,19(3).—207～211(B)一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性能,适合于用作 FEA 发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与性能方面的介绍。 展开更多
关键词 电子器件 发射微尖 过渡金属氮化物 制备与性能 薄膜 光电子技术 场发射 逸出功 殷钢荫罩 磁偏转系统
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