发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证

发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似解的新方法 .结果表明 :近似解是在 V( x) VT 的前提条件下求得的 ,仅在弱注入区和中等注入区适用 ,不能给出在强注入区和极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ;相反 ,基于精确解的理论却能给出从弱注入区到极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ,且与用 SPICE模拟得到的结果吻合 .结论是 :从整体来看 ,精确解的理论比近似解的理论描述该效应要稍好一些 ,因为前者的适用范围比后者宽 .应当强调指出 。

NPN型双极晶体管中子位移损伤差异实验研究

利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E)条件下,集成NPN-BJT与2N2222A NPN-BJT的电流增益退化都随辐照中子注量的增加呈逐渐增强趋势;在同一中子注量辐照下,随双极晶体管固定I_(E)的增大,中子辐射损伤常数K_(τ)降低,中子辐照前后电流增益的变化量减小,晶体管电流增益退化程度减弱,因此在一定范围内,提高固定I_(E)可在一定程度上增强NPN-BJT抗中子辐射能力。

《半导体三极管的放大原理》教学探讨

本文通过对教材的分析，探讨了半导体三极管放大原理的教学过程和方法。

三极管β值对电压放大倍数的影响新探

一般电子技术教材认为,在单级共发射极放大电路中,改变三极管的β值对电压放大倍数的影响不明显。即当增大(或减小)β值时,在静态发射极电流IE不变的情况下,电压放大倍数不会明显增大(或减小)。然而IE能否保持不变?与哪些因素有关?若IE发生了改变结果又会怎样?这些问题一般教材均未给予讨论。这些问题不讨论清楚,很容易在分析电路时出现错误。对以上问题进行了分析讨论并运用实验方法加以验证,最终得出明确结论。

门窗报警器的制作

右图是一种使用晶闸管和磁簧开关制作的门窗防撬报警器的电路图。这种报警器的制作,可利用身边的废旧电器拆下的元件,

构思新奇的双喇叭放大器

本放大器的设计灵感来自晶体管的电流——既然晶体管的集电极电流与发射极电流接近相等,那么用这两种电流各驱动一只喇叭,就能用同一只晶体管构成驱动两只喇叭的放大器。如图所示,T1是简单的共发射极放大器,其后依次是射随器T2和甲类输出放大器T3。这三级全部采用直流耦合,由R1-R2-P1提供文、直流负反馈。