双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究

以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。

带有非旁路发射极电阻调谐放大器性能的研究

发射极电阻在稳定放大电路静态工作点中起着重要作用,但发射极电阻的引入会牺牲放大电路的增益,利用Multisim仿真软件强大快速的电路分析功能,同时创新地运用点测法得到非旁路电阻与电压增益及电压增益变化率间的关系,定量地研究分析单调谐放大电路发射极的电容旁路电阻和非旁路电阻阻值的最优配置,使得在兼顾放大电路静态工作点稳定性的同时,最大限度提高放大器电压增益。

发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响

在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。

HICUM模型发射极及基极电阻的一种提取方法

对现存BJT等效电路模型发射极与基极电阻参数提取方法进行了总结和对比,并针对HICUM模型改进了提取发射极电阻的方法。改进后的方法有效消除了原方法固有的系统误差,并且同时提取了基极电阻。该方法已被成功应用到InGaP/GaAsHBT参数提取中。

基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀镇流电阻设计

在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT,芯片中心发射极条温度最高,严重限制了器件的功率处理能力.因此提出非均匀发射极镇流电阻设计方案,并以12指Si0.8Ge0.2HBT为例,详细地给出非均匀发射极镇流电阻设计流程.结果表明,在总发射极镇流电阻阻值(各指发射极镇流电阻并联值)不变的情况下,非均匀发射极镇流电阻设计与传统的均匀设计相比,芯片中心结温显著降低,芯片表面温度趋于一致.还发现当各指发射极镇流电阻阻值从芯片边缘到中心按指数形式分布时,功率HBT的芯片表面温度更容易趋于均匀,大大提高了HBT的功率处理能力,为功率HBT的设计提供了指导.

掺杂多晶硅发射极技术研究

本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技术支撑。

沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究

提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性.结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中.对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度.沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变;侧墙宽度增加,频率性能降低.

万用表直流电压的测量误差

当调节RW使Ie=0.87mA时,用一块ME30型万用表的5V电压档测得晶体管发射极电压Ve=4.45V,基极电压Vb=2.40V.由于Vbe=Vb-Ve,根据测得的数据,则Vbe=2.40V-4.50V=-2.05V.我们知道,三极管正常工作时,发射结应正偏.硅管的发射结导通电压Vbe】0.5V.而图中的3DG6(硅管)的Vbe=-2.05V.因此,发射结反偏,管子应处于截止状态.可是,如果管子截止,Re上的电压Ve=4.45V又是从哪里来的呢?这不能说不是一个奇怪的现象.

单端甲类+SEPP输出级30瓦单声道功率放大器

该功率放大器在过去SEPP输出级电路的基础上增添了部分电路,使放大器在小功率输出时为甲类单端放大,在大功率输出时为SEPP方式。其目的是为了获得比只用SEPP方式输出更佳的音质。通过实践证明这种输出方式对放大器的音质有明显地改善效果。再加上在放大器的电源电路中使用了多种抗干扰措施,对音质的改善也效果显著。该放大器所采取的改善音质的措施花费不多,但可以获得令人惊喜的效果,感兴趣的发烧友不妨亲手试试。

演示用热敏温度计的试制

演示用热敏温度计的试制杨宝硕（广西师范大学桂林）中学物理演示仪器中，有配合大型电流计使用的晶体管温度计，因其放大电路中有明显的零点漂移现象，致使温度示数变化很大，影响正常使用。为了较好地解决零点漂移问题，本温度计采用了差动放大电路，效果良好。温度计的...