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兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
1
作者
金冬月
贾晓雪
+5 位作者
张万荣
那伟聪
曹路明
潘永安
刘圆圆
范广祥
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第11期1141-1149,共9页
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn...
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。
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关键词
电荷等离子体双极晶体管(bipolar
charge
plasma
transistor
BCPT)
金属-半导体接触的功函数差
正衬底偏压结构
发射结注入效率
电流增益
击穿电压
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职称材料
双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流
2
作者
刘硕
谢红云
+3 位作者
孙丹
刘芮
吴佳辉
张万荣
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第5期594-598,共5页
详细对比并分析了双异质结单载流子传输光敏晶体管(Uni-travelling-carrier Double Heterojunction Phototransistor,UTC-DHPT)与单异质结光敏晶体管(Single Heterojunction Phototransistor,SHPT)在大的入射光功率范围下集电极输出电...
详细对比并分析了双异质结单载流子传输光敏晶体管(Uni-travelling-carrier Double Heterojunction Phototransistor,UTC-DHPT)与单异质结光敏晶体管(Single Heterojunction Phototransistor,SHPT)在大的入射光功率范围下集电极输出电流特性.首先,UTC-DHPT仅选取窄带隙重掺杂的基区作为吸收区,与SHPT选取基区和集电区作为吸收区相比,其光吸收区厚度小,在小功率入射光下UTC-DHPT的输出电流小于SHPT的输出电流.其次,由于UTCDHPT的双异质结结构,光生电子和光生空穴产生于基区,减弱了SHPT因光生空穴在集电结界面积累而产生的空间电荷效应,避免了SHPT在小功率入射光下输出电流开始饱和的问题,从而UTC-DHPT获得了比SHPT更大的准线性工作范围.最后,UTC-DHPT的单载流子(电子)传输方式使得基区产生的光生空穴以介电弛豫的方式到达发射结界面,有效降低了发射结势垒,增加了单位时间内由发射区传输到基区的电子数量,提高了其发射结注入效率,在大功率入射光下UTC-DHPT比SHPT能获得更高的输出电流.
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关键词
光敏晶体管
单载流子传输
输出电流
空间电荷效应
发射结注入效率
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职称材料
题名
兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
1
作者
金冬月
贾晓雪
张万荣
那伟聪
曹路明
潘永安
刘圆圆
范广祥
机构
北京工业大学信息学部
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第11期1141-1149,共9页
基金
北京市自然科学基金资助项目(4143059,4192014)
北京市教育委员会科技计划资助项目(KM201710005027)。
文摘
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。
关键词
电荷等离子体双极晶体管(bipolar
charge
plasma
transistor
BCPT)
金属-半导体接触的功函数差
正衬底偏压结构
发射结注入效率
电流增益
击穿电压
Keywords
bipolar charge plasma transistor(BCPT)
work function difference between metal and silicon
positive substrate bias structure
emission junction injection efficiency
current gain
breakdown voltage
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流
2
作者
刘硕
谢红云
孙丹
刘芮
吴佳辉
张万荣
机构
北京工业大学信息学部电子科学与技术学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第5期594-598,共5页
基金
国家自然科学基金(61774012
61574010
+5 种基金
61006044
61604106)
北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金(KYJJ2016008)
北京市自然科学基金(4122014
4142007)
山东省自然科学基金项目(ZR2014FL025)~~
文摘
详细对比并分析了双异质结单载流子传输光敏晶体管(Uni-travelling-carrier Double Heterojunction Phototransistor,UTC-DHPT)与单异质结光敏晶体管(Single Heterojunction Phototransistor,SHPT)在大的入射光功率范围下集电极输出电流特性.首先,UTC-DHPT仅选取窄带隙重掺杂的基区作为吸收区,与SHPT选取基区和集电区作为吸收区相比,其光吸收区厚度小,在小功率入射光下UTC-DHPT的输出电流小于SHPT的输出电流.其次,由于UTCDHPT的双异质结结构,光生电子和光生空穴产生于基区,减弱了SHPT因光生空穴在集电结界面积累而产生的空间电荷效应,避免了SHPT在小功率入射光下输出电流开始饱和的问题,从而UTC-DHPT获得了比SHPT更大的准线性工作范围.最后,UTC-DHPT的单载流子(电子)传输方式使得基区产生的光生空穴以介电弛豫的方式到达发射结界面,有效降低了发射结势垒,增加了单位时间内由发射区传输到基区的电子数量,提高了其发射结注入效率,在大功率入射光下UTC-DHPT比SHPT能获得更高的输出电流.
关键词
光敏晶体管
单载流子传输
输出电流
空间电荷效应
发射结注入效率
Keywords
phototransistor, uni-travelling-carrier, output current, space charge effect, emitter junctioninjection efficiency
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
金冬月
贾晓雪
张万荣
那伟聪
曹路明
潘永安
刘圆圆
范广祥
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流
刘硕
谢红云
孙丹
刘芮
吴佳辉
张万荣
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
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