电源调制电路在T/R组件中的应用与分析

简述了电源调制电路在T/R组件中对抑制自激和应用在氮化镓(GaN)射频放大器中的重要作用,论述了p型金属氧化物-半导体(p-MOS)场效应晶体管和n型金属氧化物-半导体(n-MOS)场效应晶体管两种调制电路的原理,对两种电路特性进行比较,n-MOS在调制电压、电流和速度上优于p-MOS,但由于p-MOS电路简单,其在低功率应用中也被广泛使用。最后,对调制电路中出现阻尼振荡产生的原因进行分析,得到了通过调整外围参数进行优化的方法。

三代微通道板记忆效应研究

针对三代微通道板在制作像增强器中出现的电子记忆效应现象进行分析，指出记忆效应的产生机理是通道内壁表面的多孔介质膜（Pb0-A12O3-SiO2系铅铝硅酸盐玻璃）引起的自激发射。分析了多孔介质膜的结构和形成原因，提出了采用调整玻璃材料中SiO2含量、优化金属氧化物的引入种类及数量改进通道内壁结构。工艺上采用减少皮料被酸碱腐蚀的时间和降低还原温度以减少多孔介质膜的形成。实验结果表明，采用新的材料配方，优化的三次酸碱腐蚀和520～560℃氢还原工艺消除了微通道板的记忆效应，提高了像增强器的信噪比。

基于事件点联合分布的自激滤过泊松过程的低阶矩

利用事件发生点的联合分布给出了自激发射噪声过程的第一、二阶矩,在此基础上得到了自激滤过的泊松过程的第一、二阶矩的简洁证明。