等离子体增强化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的光学发射谱研究

利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断 ,结果表明主要的辐射有N2 的第二正系跃迁、N+2 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气压的变化对N2 (337 1nm) ,N+2 (391 4nm)和CN(388 3nm)辐射强度的影响 ,并在此基础上探讨了这几种跃迁的激发机制 ,其结果为氮化碳合成中优化沉积参数。

X射线激发发射谱仪的研制

通过X射线管与光谱仪的组合,在对X射线管和光谱仪的选取、自动控制技术、数据采集和处理等多个环节进行系统论证的基础上,自行设计和研制了一台X射线激发发射谱仪。通过采用标准光源,对谱仪的波长和效率定标进行了重点研究,运用这一谱仪分别测量了BaF2和CsⅠ(Tl)等闪烁晶体的X射线激发发射谱。实验结果表明:该谱仪具有光谱分辨高、性能稳定、操作简便、屏蔽良好等特点,可为闪烁材料的探索和开发提供一种十分有效的研究手段。

氮气氛下金刚石薄膜生长过程中的光发射谱研究

利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究．研究表明，氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化．含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率，从而提高了金刚石膜的生长速率．而含氮基团的选择吸附使金刚石（１００）取向变得化学糙化，这种化学糙化使得（１００）晶面生长速率远大于其它晶面，最终使金刚石薄膜呈现（１００）织构．还利用化学气相沉积方法研究了氮气浓度对金刚石生长的影响，结果与光发射谱分析是一致的．

介质势垒放电(DBD)等离子体中NO荧光发射谱研究

利用介质阻挡放电 (DBD)等离子体技术对大气污染物NO分子进行了光谱研究 ,得到了低气压条件下放电等离子体在 2 1 0～ 2 80nm光谱范围内的荧光发射谱。该谱明显的表现为双峰结构 ,谱线均成对出现 ,强度分布符合Frank Condon原理 ,且最大峰值位置出现在 2 36nm处 ,将该组谱线归属为NO分子的A2 ΣA+→X2 Π1 / 2 ,2 / 3 跃迁。荧光产生过程为 :基态NO分子与高能电子发生非弹性碰撞被激发至激发态A2 Σ+ 后自发跃迁回基态同时辐射出荧光。通过测量等离子体中NO分子和N2 分子 337nm谱线强度随时间的变化关系 ,初步证实了放电等离子体中存在的NO分子的分解机制为 :e +NO→N +O +e,N +NO→N2 +O ,O +NO→NO2+hν。

同步辐射软X射线吸收谱与发射谱测定天然针铁矿能带结构

天然半导体矿物由于成分、缺陷复杂,传统测试方法如紫外可见漫反射等难以准确测定其禁带宽度.本文以针铁矿为例,通过第一性原理计算得到纯针铁矿及掺Al针铁矿的电子结构.计算结果显示,纯针铁矿导带底与价带顶均由Fe3d与O2p轨道组成,而当含杂质Al时,Al2p与O2p发生杂化参与了价带组成.在此基础上,利用同步辐射X射线氧的K边吸收谱与发射谱对纯针铁矿及天然针铁矿的能带结构进行了测定.结果表明,天然含Al的针铁矿禁带宽度为2.30eV,小于纯针铁矿(2.57eV).本研究提供了一种测定天然氧化物矿物禁带宽度的新方法,为深入研究天然半导体可见光催化活性产生机制提供了理论依据.

由供体受体对的发射谱直接拟合计算荧光共振能量转移效率

荧光共振能量转移 (FRET)广泛用于研究分子间的距离以及相互作用 ,但是由于光谱的串扰和荧光强度对浓度依赖的复杂性 ,很难定量测量 FRET效率 .本文提出了一种利用供体、受体和供体受体对的发射谱通过计算机拟合计算 FRET效率的理论和方法 .该方法适用于选择性地激发供体和受体与供体的浓度比已知的情况 ,因而适合基于绿色荧光蛋白 (GFP)供体 -受体对 .本文利用该方法拟合计算了 Cameleon分别在零钙和饱和钙时的FRET效率 .

X光加热金平面靶再发射谱分析

用一维多群辐射输运程序（ＲＤＭＧ）对Ｘ光加热金平面靶的谱改造过程进行了数值模拟，得到的靶面出射谱与普朗克谱相近，但在谱峰区附近出现畸变。分析表明，晕区等离子体对于畸变区频段的光子是光性薄的。该区域对应于吸收系数谱Ｎ带和Ｏ带吸收峰之间的谷区。

直流放电等离子体中NO的荧光发射谱研究

在常温、低气压的条件下,对直流高压放电等离子体中NO在210-280 nm波长范围内的荧光发射谱进行了研究,发现发射谱中主要谱线归属为A2∑→X2∏1/2,3/2跃迁,利用荧光发射谱获得了NO分子基电子态X2∏的振动频率、非谐性系数及力常数,结果与文献报道符合的较好。实验所用设备简单,这提供了一种简单易行的研究分子特性的方法。

应用原子特征发射谱线法测量煤粉火焰温度

利用光纤光谱仪对煤粉火焰温度在线测量进行了研究。这种方法考虑原子在辐射场中受到的影响,以原子特征发射谱线相对强度模型来计算煤粉火焰温度,该模型与Plank定律有着相似的表达形式,因而可以基于Plank定律的一些研究方法来对该方法进行研究。结果表明:原子特征发射谱线法火焰温度测量和热电偶火焰温度测量是两种不同原理的测量方法,只有当系统满足热平衡条件时,两种方法的测量结果才相同;否则,两种方法测得的火焰温度不能直接进行数值上的比较。煤粉火焰温度测量也不能使用等离子体火焰温度测量的方法。

高压X光机发射谱的测量与研究

本文描述了测量高压Ｘ光机发射谱的技术，并成功地测量了１４０ｋＶ高压Ｘ光机的发射谱。研究了滤波片对Ｘ光机发射谱特性的影响，在此基础上提出了可根据不同的测试目的和条件，用不同的滤波片可形成高强度的准单能。

NO在可见区的电子-振动发射谱

本文通过直流放电离解NO_2,研究了NO电子-振动发射谱在可见区的六个带系。结果表明每个带系均形成带序列,共观察到19个带序列计205个带。我们对各个带进行了标识并测量了其相对强度,同时就各序列的谱带结构进行了讨论。

等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中光发射谱和朗谬尔探针原位诊断

报道了利用光发射谱 (OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果 ,研究了几种过程参数变化中等离子体状态 ,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH4 浓度变化时 ,CH基团的发射强度和电子密度ne 的变化表现出相似趋势 ,均出现一极大值。而在高CH4 浓度 ,C2 的发射出现。在气压变化过程中 ,CH的发射强度和ne 均随气压的升高而下降 ,C2 的发射强度变化不大。用OES和朗谬尔探针测量的电子温度Te 所显示的结果是一致的。在这些过程中 ,电子碰撞应该是CH发射的主要机制 ,C2

高温铝等离子体X光发射谱实验

在神光-Ⅱ高功率激光装置上,以束匀滑的第九路钕玻璃二倍频激光均匀辐照薄层铝埋点靶,通过激光烧蚀作用产生较均匀的铝高温等离子体,用平面晶体谱仪在靶面前向和切向同时测量了X光发射谱信号,并将前向发射谱进行了定量化还原处理。利用辐射流体力学程序MULTI-1D首先对等离子体状态进行了模拟计算,然后采用基于碰撞辐射模型的光谱程序对该状态下的光谱开展了计算,并将实验测量光谱与理论计算光谱进行了比较和分析,符合得较好。

光学发射谱在硫掺杂金刚石薄膜制备中的应用

利用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,制备硫掺杂n型金刚石薄膜,利用光学发射谱技术对其生长环境进行原位诊断,分析合成机理及生长的最佳条件。结果表明,合成金刚石薄膜的合成反应区中主要粒子为CH、CH+、活性H原子,提高工作气压和硫碳配比浓度有利于提高硫掺杂浓度,在低温条件下合成了高品质的硫掺杂n型金刚石薄膜。

ZnS型荧光粉的粒度、形貌和荧光发射谱的研究

本文主要对两种 Zn S型荧光粉 Zn S∶ Cu+和 Zn S∶ Mn2 +进行了研究。我们烧制了两种样品之后 ,对其进行了超声分散和包膜。经过超声分散和包膜处理后的样品的粒度分布分别为高斯型粒度分布 ,两者的中心粒度分别为 1 0微米和 2 0微米。两种样品的 SEM实验结果表明 ,经分散和包膜之后的颗粒形貌基本为圆形 ,颗粒的分散度很好 ,我们还分别测量了两者经过处理后的样品的荧光发射谱。 Zn S∶ Cu+ 的绿色发射峰值为 1 8860 cm- 1,Zn S∶ Mn2 + 的橙色发射峰值为 1 71 0 0 cm- 1。

DBD放电中的NO荧光发射谱(英文)

在低气压条件下 ,得到了NO在DBD(Dielectricbarrierdischarge)放电等离子体中的荧光发射谱(2 10～ 2 80nm ) .其中的主要谱线归属为A2 ∑ +→X2 П1/2 ,2 /3 跃迁 .

基于PILATUS探测器的von Hamos构型X射线发射谱谱仪及数据获取

高能量分辨X射线发射谱(X-ray Emission Spectroscopy,XES)比常规X射线吸收精细结构谱(X-ray Absorption Fine Structure,XAFS)具有更高的能量分辨率,是探究物质精细电子结构的有力工具。PILATUS探测器是一种没有暗电流和读出噪声的单光子计数探测器,基于该探测器,在上海光源BL14W1线站搭建了一套von Hamos构型XES谱仪及数据获取系统,能量分辨率达到eV量级,接近此类构型光谱仪的世界先进水平。该光谱仪采用PILATUS探测器作为位置灵敏探测器使用,并结合线站单色器和KOHZU平台系统开发了一套基于LabVIEW软件的XES数据获取系统。对光谱仪系统进行了能量分辨率测试和CuO发射谱测量实验,获得样品发射的能量为8046 eV弹性散射峰的半高宽(Full-Widthat Half Maximum,FWHM)为1.67 eV,表明基于PILATUS探测器的von Hamos构型XES谱仪系统可以满足高能量分辨实验的需求。

天体等离子体中铝发射谱线的研究

结合天体等离子体中铝发射谱和某些能级寿命的测量 。

VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究

用光发射谱 (OES)和喇曼散射谱 (Raman)研究了VHF PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明 :随功率增加 ,对应各基团峰的强度增大 ;结合喇曼的测试结果 ,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度 ;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量 ,Ra man测试结果表明相应的晶化率低。

暗云L1211的C^（18）O（J＝1－0）分子发射谱线的观测

本文作者首次对暗云Ｌ１２１１的Ｃ^（１８）Ｏ（Ｊ＝１－０）分子发射谱线进行了观测，发现了暗云Ｌ１２１１致密核的Ｃ^（１８）Ｏ（Ｊ＝１－０）的宽翼发射谱线和它的结构，得到了核区Ｃ^（１８）Ｏ（Ｊ＝１－０）分子的谱线轮廓图、强度分布图、速度分段积分等高图、速度位置图。