期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用
被引量:
1
1
作者
梁建军
王永谦
+2 位作者
陈维德
王占国
常勇
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期196-199,共4页
利用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心 ,提高了铒离子的发光...
利用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心 ,提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷 ,提高了氢的逃逸温度 ,改善材料的热稳定性 ,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高 ,铒的发光得到增强。讨论了铒离子的发光机制。
展开更多
关键词
饵
氧
硼
磷
发致发光
掺杂
氢化非晶硅
半导体
下载PDF
职称材料
多孔硅发光机制的量子理论
2
作者
杨国伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期4-6,共3页
评述了多孔硅发光机制的量子限制效应(QuantumConfinementEffect,QCE)理论,讨论了与此相关的一些实验和两种新的QCE理论,最后分析了QCE理论存在的一些问题。
关键词
多孔硅
发致发光
量子效应
下载PDF
职称材料
题名
氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用
被引量:
1
1
作者
梁建军
王永谦
陈维德
王占国
常勇
机构
中国科学院半导体研究所
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期196-199,共4页
基金
国家自然科学基金资助课题! ( 699760 2 8
6963 60 40 )
文摘
利用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心 ,提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷 ,提高了氢的逃逸温度 ,改善材料的热稳定性 ,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高 ,铒的发光得到增强。讨论了铒离子的发光机制。
关键词
饵
氧
硼
磷
发致发光
掺杂
氢化非晶硅
半导体
Keywords
Er
O
B
P
luminescence
hydrogenated amorphous silicon
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
多孔硅发光机制的量子理论
2
作者
杨国伟
机构
湖南湘潭大学物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期4-6,共3页
文摘
评述了多孔硅发光机制的量子限制效应(QuantumConfinementEffect,QCE)理论,讨论了与此相关的一些实验和两种新的QCE理论,最后分析了QCE理论存在的一些问题。
关键词
多孔硅
发致发光
量子效应
分类号
TN304.17 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用
梁建军
王永谦
陈维德
王占国
常勇
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
下载PDF
职称材料
2
多孔硅发光机制的量子理论
杨国伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部