氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用

利用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心 ,提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷 ,提高了氢的逃逸温度 ,改善材料的热稳定性 ,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高 ,铒的发光得到增强。讨论了铒离子的发光机制。

多孔硅发光机制的量子理论

评述了多孔硅发光机制的量子限制效应（ＱｕａｎｔｕｍＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔＥｆｆｅｃｔ，ＱＣＥ）理论，讨论了与此相关的一些实验和两种新的ＱＣＥ理论，最后分析了ＱＣＥ理论存在的一些问题。