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高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全
被引量:
1
1
作者
倪振文
王俊年
+1 位作者
吕振肃
沈洪远
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期39-42,共4页
通过对高可靠性晶体管 Vcbo击穿特性发辉现象的失效问题的实验对比分析和物理机理的研究 ,找出了产生此现象的直接原因 ,进而通过对晶体管安全工作方面的实验和研究 ,提出解决发辉现象的措施和测试 Vcbo单结特性时应注意的问题 ,确保了...
通过对高可靠性晶体管 Vcbo击穿特性发辉现象的失效问题的实验对比分析和物理机理的研究 ,找出了产生此现象的直接原因 ,进而通过对晶体管安全工作方面的实验和研究 ,提出解决发辉现象的措施和测试 Vcbo单结特性时应注意的问题 ,确保了产品的可靠性 .
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关键词
高可靠性晶体管
Vcbo击穿特性
发辉现象
安全工作区
物理机理
测试安全
下载PDF
职称材料
高反压管BV_(CBO)击穿特性发辉现象的机理分析与解决
2
作者
倪振文
刘昆山
+1 位作者
沈洪远
何早红
《电子质量》
2000年第7期21-24,共4页
通过对某型高反压管BVcbo 击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究,找出了产生此现象的直接原因,进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试BVcbo单结特性时应注意的问题。
关键词
击穿特性
高反压管
发辉现象
晶体管
下载PDF
职称材料
题名
高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全
被引量:
1
1
作者
倪振文
王俊年
吕振肃
沈洪远
机构
湘潭工学院信息与电气工程系
兰州大学信息科学与工程学院
出处
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期39-42,共4页
文摘
通过对高可靠性晶体管 Vcbo击穿特性发辉现象的失效问题的实验对比分析和物理机理的研究 ,找出了产生此现象的直接原因 ,进而通过对晶体管安全工作方面的实验和研究 ,提出解决发辉现象的措施和测试 Vcbo单结特性时应注意的问题 ,确保了产品的可靠性 .
关键词
高可靠性晶体管
Vcbo击穿特性
发辉现象
安全工作区
物理机理
测试安全
Keywords
Vcbo breakdown characteristic
sparkling phenomena
reliability
transistor safe working area
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高反压管BV_(CBO)击穿特性发辉现象的机理分析与解决
2
作者
倪振文
刘昆山
沈洪远
何早红
机构
湘潭工学院信息与电气工程系
出处
《电子质量》
2000年第7期21-24,共4页
文摘
通过对某型高反压管BVcbo 击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究,找出了产生此现象的直接原因,进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试BVcbo单结特性时应注意的问题。
关键词
击穿特性
高反压管
发辉现象
晶体管
Keywords
BVCBO breakdown characteristic sparkling phenomena transistor safe working area
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全
倪振文
王俊年
吕振肃
沈洪远
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
2
高反压管BV_(CBO)击穿特性发辉现象的机理分析与解决
倪振文
刘昆山
沈洪远
何早红
《电子质量》
2000
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职称材料
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