提供了一种适宜于多通道集成的低功耗、小面积14位125 MSPS流水线模数转换器(ADC)。该ADC基于开关电容流水线ADC结构,采用无前端采样保持放大器、4.5位第一级子级电路、电容逐级缩减和电流模串行输出技术设计并实现。各级流水线子级电...提供了一种适宜于多通道集成的低功耗、小面积14位125 MSPS流水线模数转换器(ADC)。该ADC基于开关电容流水线ADC结构,采用无前端采样保持放大器、4.5位第一级子级电路、电容逐级缩减和电流模串行输出技术设计并实现。各级流水线子级电路中所用运算放大器使用改进的"米勒"补偿技术,在不增加电流的条件下实现了更大带宽,进一步降低了静态功耗;采用1.75 Gbps串行数据发送器,数据输出接口减少到2个。该ADC电路采用0.18μm 1P5M 1.8 V CMOS工艺实现,测试结果表明,该ADC电路在全速采样条件下对于10.1 MHz的输入信号得到的SNR为72.5 d BFS,SFDR为83.1 d B,功耗为241 m W,面积为1.3 mm×4 mm。展开更多
提出了一种双通道可重构14 bit 125 MS/s流水线模数转换器(ADC).该双通道14 bit ADC可工作在并行双通道14 bit 125 MS/s、时间交织14 bit 250 MS/s以及求和15 bit 125 MS/s三种模式.为抑制通道间失配误差的影响,提出一种数模混合前台校...提出了一种双通道可重构14 bit 125 MS/s流水线模数转换器(ADC).该双通道14 bit ADC可工作在并行双通道14 bit 125 MS/s、时间交织14 bit 250 MS/s以及求和15 bit 125 MS/s三种模式.为抑制通道间失配误差的影响,提出一种数模混合前台校准技术.为减少ADC输出端口数目,数据输出由高速串行数据发送器驱动,并且其工作模式有1.75,2,3.5 Gbit/s三种.该ADC电路采用0.18μm 1P5M 1.8 V CMOS工艺实现,测试结果表明,对于相同的10.1 MHz的输入信号,该ADC电路在14 bit 125 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为72.5 dBFS和83.1dB,在14 bit 250 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为71.3 dBFS和77.6 dB,在15 bit 125 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为75.3 dBFS和87.4 dB.芯片总体功耗为461 mW,单通道ADC内核功耗为210 mW,面积为1.3×4 mm^2.展开更多
文摘提供了一种适宜于多通道集成的低功耗、小面积14位125 MSPS流水线模数转换器(ADC)。该ADC基于开关电容流水线ADC结构,采用无前端采样保持放大器、4.5位第一级子级电路、电容逐级缩减和电流模串行输出技术设计并实现。各级流水线子级电路中所用运算放大器使用改进的"米勒"补偿技术,在不增加电流的条件下实现了更大带宽,进一步降低了静态功耗;采用1.75 Gbps串行数据发送器,数据输出接口减少到2个。该ADC电路采用0.18μm 1P5M 1.8 V CMOS工艺实现,测试结果表明,该ADC电路在全速采样条件下对于10.1 MHz的输入信号得到的SNR为72.5 d BFS,SFDR为83.1 d B,功耗为241 m W,面积为1.3 mm×4 mm。
基金the National Natural Science Foundation Committee of China(Grant No.81271597)the Major Item of the Basic Research of Shanghai Science and Technology Committee(Grant No.10JC0642)
文摘论述了电声互易原理和用于平面活塞型与球面聚焦换能器校准的自易法(Self Reciprocity Method, SRM)。介绍了一系列的定义和发送电压(电流)响应与电压灵敏度。阐述了SRM与辐射力天平(Radiation Force Balance, RFB)法之间的关系。在1~25 MHz 频率范围内,对超声换能器校准和输出功率测量的实验显示,两种方法具有相近的准确度。SRM法比RFB法测量具有更高的信噪比和更好的稳定性。
文摘提出了一种双通道可重构14 bit 125 MS/s流水线模数转换器(ADC).该双通道14 bit ADC可工作在并行双通道14 bit 125 MS/s、时间交织14 bit 250 MS/s以及求和15 bit 125 MS/s三种模式.为抑制通道间失配误差的影响,提出一种数模混合前台校准技术.为减少ADC输出端口数目,数据输出由高速串行数据发送器驱动,并且其工作模式有1.75,2,3.5 Gbit/s三种.该ADC电路采用0.18μm 1P5M 1.8 V CMOS工艺实现,测试结果表明,对于相同的10.1 MHz的输入信号,该ADC电路在14 bit 125 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为72.5 dBFS和83.1dB,在14 bit 250 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为71.3 dBFS和77.6 dB,在15 bit 125 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为75.3 dBFS和87.4 dB.芯片总体功耗为461 mW,单通道ADC内核功耗为210 mW,面积为1.3×4 mm^2.