无取向电工钢晶粒长大过程中织构的发展

无取向电工钢应同时具有低铁损和高磁导率。这些磁性大多受晶粒尺寸和织构影响，关于晶粒长大过程中晶粒尺寸优化问题已经被广泛研究。相反很少有人关注晶粒长大过程中织构变化。本文根据试验结果提出无取向电工钢晶粒长大过程中织构发展的机理，对于2％Si的试样，在晶粒长大过程中，作为主要织构组分的高斯组分和{111}〈112）组分减弱；对于1％Si的试样，在晶粒长大过程中，作为主要织构组分的{111}（112）组分和{111}（110）组分增强，并且提出如果具有特别取向的晶粒不仅尺寸超过其它取向，而且发生高角度，高晶界能频率高，这样的织构组分在晶粒长大过程中能连续被增强。

磁-热耦合退火对CGO钢Goss晶粒取向度的影响

采用实验室自主研发的磁-热耦合处理装置,利用X射线衍射仪和磁性能测量仪对不同参数磁-热耦合拉伸平整退火后的CGO钢组织、Goss取向晶粒偏差角以及磁性能进行检测分析。结果表明,磁-热耦合退火能够促进CGO钢拉伸平整过程中晶粒长大,同时减小Goss取向晶粒偏差角最大值,从而改善其磁性能。在750℃下施加12 mT磁场时,磁-热耦合退火作用效果最为显著,Goss取向晶粒偏差角最大值较未施加磁场时减小2.76°,铁损值降低,磁感应强度提高。

基于磁畴结构交互作用的激光刻痕取向硅钢磁致伸缩系数计算

基于取向硅钢磁畴结构与磁致伸缩系数的定量关系,综合考虑激光刻痕参数和取向偏差角对应力封闭畴与横向畴2种90°磁畴结构的影响,提出反映刻痕参数与取向偏差角交互作用的磁致伸缩系数计算模型。计算结果表明,取向偏差角的大小决定了激光刻痕条件下磁致伸缩行为是由横向畴还是应力封闭畴主导;激光刻痕产生的局部封闭畴与杂散磁场可降低取向偏差角引起的磁致伸缩系数。刻痕能量密度和刻痕线间距等参数对取向硅钢磁致伸缩系数影响的计算结果与实测结果相吻合,表明本工作所提模型可为降低激光刻痕取向硅钢的噪音提供理论基础。