CuO纳米线中的取向畴

通过简单的热氧化法,可以得到不同取向畴的CuO纳米线结构。利用群论的知识,从理论上推导出CuO纳米线中存在11种畴壁结构,其中5种已经被实验证实。同时,在800℃下得到直径较大的CuO纳米线,利用透射电子显微学相关技术分析发现,这种纳米线中存在一种新的畴壁结构,而且也属于理论上得到的11种畴壁之一。本文利用群论分析,解释了CuO纳米线中取向畴结构的生成机制,对调控CuO纳米材料的生长具有指导作用。

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3材料中取向畴结构的电镜研究

利用透射电子显微镜(TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)研究了庞磁电阻材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)中的取向畴结构.电子衍射结果表明,块体LCMO材料中只存在正交相(Pnma),其衍射指数满足消光条件:0kl,k+l=2n+1;hk0,h=2n+1;h00,h=2n+1;0k0,k=2n+1;00l,l=2n+1.在晶粒中可观察到两种典型的取向畴形貌,分别为无定形和楔形.高分辨观察结果还发现,LCMO畴界均为不平直界面,由一些低能量高指数界面组成.

任意晶系中非180°取向畴的矩阵分析

利用线性变换的方法，推导出三斜晶系中绕任意方向旋转任意角度的空间点阵基矢间的变换矩阵，给出了变换矩阵在四方晶系中的表达式并分析了ZrO2中的两种取向畴。

钙钛矿相Bi_xCa_(1-x)MnO_3中取向畴的群论研究

用群理论分析了钙钛矿相BixCa1-xMnO3材料中的取向畴及畴界的显微结构。群论研究表明,当BixCa1-xMnO3由立方相转变为正交相时,会出现120°及90°取向畴,在这些畴之间,会形成m(100)、m(01-1-)、m(011)、m(101)、m(1-01)等5种类型的畴界。

半导体量子棒的光控取向技术进展

介绍了液晶分子的光控取向技术和半导体量子棒均匀定向的方法。该方法可以将高亮度、核/壳结构的CdSe/CdS量子棒与液晶单体相互结合,通过定向排列液晶单体来实现对量子棒的定向排列,并利用紫外光聚合固化,形成包裹量子棒的液晶聚合物薄膜。通过对高偏振荧光量子棒的光学表征,展现出高排列序参数。在应用方面,液晶聚合物中的量子棒可在微米尺度(低至2μm)内进行多畴取向,展现出在光子学和保密领域中的应用前景;结合量子棒/液晶聚合物(QR/LCP)薄膜与液晶显示技术,可用于新式光学驱动荧光显示设备;用于现代液晶显示设备中的量子棒亮度增益膜,在增强色彩表现(>100%NTSC)的同时,又能提高显示器的光学效率(>8%)。

聚合物稳定液晶垂直取向技术的研究现状概述

文章简单介绍了几种液晶显示的广视角技术,着重对聚合物稳定液晶垂直取向技术(polymerstabilized vertically aligned,PSVA)进行了概括,包括聚合物稳定液晶垂直取向技术的发展历史、技术优势和研究进展,以及对该项技术的进一步产业化和未来的发展趋势进行预测。与传统的VA器件相比,PSVA改进了器件的电光特性,特别是上升时间,同时不需要MVA器件和PVA器件中在图案电极上的突起物。为了更好地发挥PSVA的技术优势,要优化像素结构以形成稳定的多个液晶指向矢,其次,固化电压、固化强度、固化能量等UV固化条件以及可聚合单体在液晶中的含量需要优化。

α⁃Cu_(2)Se的显微缺陷结构

本文利用球差校正电镜对Cu_(2)Se低温α相的显微缺陷结构进行精细表征。α⁃Cu_(2)Se呈层状特征,其中Se构成了刚性亚晶格,Cu离子有序填充于{111}c晶面之间形成了交替分布的富Cu层和贫Cu层。层间滑移是导致超结构出现的主要原因。在Cu_(2)Se从高温β相到低温α相的结构转变过程中,由于对称性破缺和Se刚性亚晶格的保留,Cu离子在不同区域的有序性差异使得α⁃Cu_(2)Se中存在大量共格连接的畴结构。实验结果有助于更全面地理解α⁃Cu_(2)Se的显微缺陷结构。

铁磁(La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3)/高温超导(YBa_2Cu_3O_7)双层薄膜微结构的高分辨电镜研究

采用脉冲激光沉积法在LaAlO3(LAO)衬底上生长了YBa2Cu3O7/La0.7Ca0.3MnO3(YBCO/LC-MO)和La0.7Ca0.3MnO3/YBa2Cu3O7(LCMO/YBCO)两种外延薄膜,利用高分辨电子显微镜研究了其微观结构。在YBCO/LCMO/LAO薄膜中,LCMO以层-岛模式生长,并形成层状取向畴结构。YBCO层均由c轴取向晶粒组成,其中含有c/3平移畴界、额外CuO层及Y2O3第二相等缺陷结构。在LCMO/YBCO/LAO薄膜中,LAO衬底上初始生长的YBCO为c轴取向,至一定厚度(几个纳米)转为c与a轴混合生长。LCMO层在YBCO上外延生长并具有[100]m与[011]m混合取向畴结构。在LCMO/YBCO界面未观察到失配位错,因此二者界面属应变型界面。

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜微观结构的HRTEM表征

利用透射电子显微镜研究了衬底温度600～800℃条件下采用脉冲激光法在(001)LaAlO3(LAO)衬底上制备的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜的微观结构。结果表明薄膜由大量柱状晶组成且与LAO衬底形成良好外延关系。LCMO薄膜与LAO衬底的取向关系可以描述为:(ⅰ)(100)f∥(001)s、[011]f∥[100]s;(ⅱ)(011)f∥(001)s、[100]f∥[100]s。LCMO显示层状畴结构,即在衬底上初始生长的薄膜为(ⅱ)型畴,在此之上生长的薄膜为(ⅰ)类和(ⅱ)类型畴的混合体。薄膜中可观察到一些反向畴与孪晶等缺陷。薄膜与衬底界面少见错配位错,薄膜以Stranski-Krastanov模式生长。

庞磁电阻La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的微结构研究

利用激光分子束外延方法在(001)SrTiO3衬底上制备庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜。发现高密度、尺度均匀的纳米聚集物弥散地分布在La0.8Sr0.2MnO3薄膜中。Z衬度像、EDS及电子衍射综合分析表明,这些纳米聚集物的内部成分出现起伏,主要特征是富Mn贫La,Mn La的比值在其核心处达到极大值,形成立方结构的第二相MnO。LSMO薄膜由两种正交结构的取向畴组成。MnO与畴1的取向关系为:[101]LSMO,1[100]MnO和(010)LSMO,1(010)MnO;与畴2的关系为:[101]LSMO,2[100]MnO和(010)LSMO,2(001)MnO。在LSMO STO外延体系中,还观察到大量的失配位错。失配位错的类型分为刃型失配位错,位错线沿〈100〉方向;螺型失配位错,位错线沿〈110〉方向。刃型位错是基体中原有位错在薄膜生长过程中沿生长表面的扩展造成的;螺型失配位错的形成与降温过程中LSMO正交结构的取向畴的形成有关。

Sr_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3双层薄膜的微观结构

采用脉冲激光沉积法在(001)LaAlO_3衬底上制备了Sr_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜,利用透射电子显微镜对薄膜的微观结构进行了研究。结果表明,底电极La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3在LaAlO_3衬底上外延生长并形成立方-立方取向关系。不同于块体结构,LSCO薄膜发生了结构转变,形成一种氧缺位有序调制结构。整个薄膜由大量取向畴组成,其中包含一些层错与反相畴界等缺陷。生长温度为500℃时,Sr_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3薄膜为柱状多晶结构;当温度升高至820℃时,薄膜为缺陷较少的单晶结构。

我的创新与财富观

我们在英国1月19日出版的《自然》杂志发表的论文《C60畴的二维拓扑学结构》(《Topology of two dimensional C60 domains》)，介绍了两方面的成果：1．能够分辨碳——碳单键和双键的C60单分子图像。C60作为一种全部由碳原子构成的团簇分子，具有独特的笼状结构和稳定的物理化学性质，有极潜在应用价值，一直是科学家的研究热点。我们利用STM在国际上首次“拍下”了能够分辨碳一碳单键和双键的分子图像。

TFT-LCD的宽视角技术

随着TFT-LCD显示技术的不断发展,宽视角模式已经成为业界追求的目标。本文通过对TFT-LCD显示模式的叙述,分析了各种流行显示模式的特点,希望能为了解TFT-LCD有所帮助。

一种新的C_(60)二维畴拓扑结构

利用低温扫描隧道显微镜对吸附在硫醇膜表面的二维C6 0 岛进行研究 ,首次观察到化学键分辨的C6 0 分子结构 ,并发现一种新型的C6 0 二维取向畴界 .这种畴界仅仅由于两边C6 0 分子的取向不同而存在 ,附近没有结构缺陷 ,畴界附近C6 0 阵列的位置平移序和键取向序都得到了保持 .

超磁致伸缩材料的研究新进展

近年来,稀土超磁致伸缩TbDyFe材料的研究进展迅速,既有新的研究方向如材料力学性能、合金的凝固过程、磁畴取向的分布、组分处于准同型相界的合金的性能等,也有传统的如热处理时施加高磁场及应力处理、新热处理方法等方面。此外,科研人员不断开发出新的稀土超磁致伸缩材料合金体系,即不同元素对TbDyFe体系的部分取代与添加,主要有Pr、Nd、Sm、Gd、Ho和Er等稀土元素及第八族的Co元素。

基于Matlab的AIFF MVA液晶显示模拟及分析

用Matlab软件模拟了AIFF MVA模式液晶显示器光学透过率的电极尺寸效应.首先模拟了盒内电场分布,然后由盒内电场分布计算模拟液晶盒透过率,并在此基础上分析了像素电极尺寸大小和间隔尺寸大小对液晶盒透过率的影响.将软件模拟和实际实验相对照,验证计算机软件模拟的可靠性.结合软件模拟的结果提出了AIFF MVA模式下像素电极尺寸与间隔尺寸的优化设计方案,以提高AIFF MVA模式液晶显示的工作性能.

AIFF MVA模式下像素尺寸对其特性的影响

近年来,液晶电视的需求呈现强劲的增长势头.多畴垂直取向(MVA)模式的液晶显示器(LCD)与其他显示模式的LCD相比,具有高对比度、宽视角及快速响应等特点,但需要制作昂贵且复杂的凸起结构以保证液晶分子的取向,因此如何避免制作凸起结构成为许多研究者的课题.为解决上述问题,采用新颖的增强边缘电场效应(AIFF)MVA技术,通过光刻手段制造不同图形参数的精密电极基板,并结合计算机模拟结果,分析了像素尺寸对液晶光学织构及电光特性的影响.