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K_3C_(60)在200K附近的取向相变机理 被引量：1
1
作者 李宏年 徐亚伯 +6 位作者 鲍世宁 李海洋 吴太权 陈晓 钱海杰 易.奎热西 刘风琴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2456-2460,共5页
研究了K3C6 0 单晶薄膜在 2 0 0K附近的导带结构 .样品温度为 190K时 ,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散 .而在 2 2 0K附近色散不存在 .这一实验结果与K3C6 0 在 2 0 0K存在取向相变相符合 .用反铁磁Ising模... 研究了K3C6 0 单晶薄膜在 2 0 0K附近的导带结构 .样品温度为 190K时 ,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散 .而在 2 2 0K附近色散不存在 .这一实验结果与K3C6 0 在 2 0 0K存在取向相变相符合 .用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析 .结果表明 ,K3C6 0 在 2 0 0K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为2 0 0K以上的双取向结构畴与无序分子 (约占 40 % ) 展开更多
关键词 K3C60 取向相变机理 单晶薄膜 导带结构 温度 200K 碳化三钾
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