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高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究
1
作者
刘秀喜
薛成山
+2 位作者
林玉松
孙瑛
庄惠照
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期632-636,共5页
针对现行P型杂质扩散工艺的不足,开展了受主双质掺杂新技术的研究.经对比实验和工艺论证,首先研究成功开管铝镓一步扩散法.应用证明,该项技术用于制造高压大电流晶闸管是可行的,产品电参数一致性和综合性能好,合格率高,为电力...
针对现行P型杂质扩散工艺的不足,开展了受主双质掺杂新技术的研究.经对比实验和工艺论证,首先研究成功开管铝镓一步扩散法.应用证明,该项技术用于制造高压大电流晶闸管是可行的,产品电参数一致性和综合性能好,合格率高,为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径.
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关键词
晶闸管
高电压
大电流
受主双质掺杂
下载PDF
职称材料
镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施
2
作者
刘秀喜
《山东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1997年第2期149-152,共4页
针对铝乳胶源涂布与气相Ga杂质相结合的受主双质掺杂技术,分析了产生表面层缺陷的原因。
关键词
受主双质掺杂
表面层缺陷
位错
晶闸管
镓铝扩散
下载PDF
职称材料
题名
高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究
1
作者
刘秀喜
薛成山
林玉松
孙瑛
庄惠照
机构
山东师范大学半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期632-636,共5页
基金
山东省科委重点资助
文摘
针对现行P型杂质扩散工艺的不足,开展了受主双质掺杂新技术的研究.经对比实验和工艺论证,首先研究成功开管铝镓一步扩散法.应用证明,该项技术用于制造高压大电流晶闸管是可行的,产品电参数一致性和综合性能好,合格率高,为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径.
关键词
晶闸管
高电压
大电流
受主双质掺杂
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施
2
作者
刘秀喜
机构
山东师范大学半导体所
出处
《山东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1997年第2期149-152,共4页
基金
山东省科委资助
文摘
针对铝乳胶源涂布与气相Ga杂质相结合的受主双质掺杂技术,分析了产生表面层缺陷的原因。
关键词
受主双质掺杂
表面层缺陷
位错
晶闸管
镓铝扩散
Keywords
acceptor double_impurity doping technique
surface layer defect
dislocation
measure
分类号
TN340.54 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究
刘秀喜
薛成山
林玉松
孙瑛
庄惠照
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
下载PDF
职称材料
2
镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施
刘秀喜
《山东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1997
0
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职称材料
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