受激准分子灯

受激准分子灯是近期研发的一种新类型产品,该灯采用一个充以低压气体的玻壳,两个电极至少有一个置于玻壳外,常用玻壳内无电极的结构。它可产生真空紫外线或紫外线+臭氧气,用于消毒杀菌清洁液晶基片、集成电路晶片等领域。

第十讲 激光法制造积层多层板(续)UV激光制造微孔技术

在第九讲中已评述了激光制造微小孔技术的概况。特别是着重介绍了 CO2激光烧蚀盲孔来制造积层多层板的方法。尽管目前在激光法制造积层多层板中大多数采用 CO2激光烧蚀制造盲孔技术,但是随着 MCM（或 SCM）和 CSP（ChipScale Package）的迅速发展,对微孔（≤φ0.1mm）制造需求急剧增加。因而提出了能够更好、更精确地加工≤φ0.1mm 微孔和更为稳定而可靠的技术的要求。除了继续改进和完善CO2激光烧蚀微小孔技术外。近几年来。

荧光光度计

8.1荧光分光光度法的概述 8.1.1原理:当用近紫外线及波长短的可见光线照射许多有机化合物和一些无机化合物时,这些化合物吸收了辐射能而成为寿命10-9～10-6秒的激发分子以后,便发射荧光。此外,在上述条件下也能发射寿命为10-3～10秒的磷光。这种行为一般称为发光。 用一定的激发光源照射试样时,荧光物质吸收辐射能的程度服从Bouguer—Beer定律,因此有下式成立I=Io×10abc （1）

低温多晶Si TFT-LCD技术

介绍了大面积低温多晶Si薄膜晶体管液晶显示技术的发展水平。最近 ,低温多晶Si薄膜晶体管业已取得很大进展 ,比如高质量多晶Si薄膜的受激准分子激光退火 (激光再结晶 )工艺 ,大面积掺杂用离子掺杂工艺 ,以及低温原子团簇射式化学汽相沉积工艺。

Evolution of Ge and SiGe Quantum Dots under Excimer Laser Annealing

我们在前 cimer 激光退火下面的 Ge 和 SiGe 量点的现在的不同松驰机制。自从在 Ge 点和 Ge 层之间没有接口，变粗和在 Ge 的紧张在 Ge 电影上点的点表演的松驰的调查被脱臼放松，当 Si0.77Ge0.23 电影上的 SiGe 点由格子失真放松到协调的块时，它源于在 SiGe 块和 Si0.77Ge0.23 电影之间的明显的接口。结果被范德比尔特和 Wickham 建议并且支撑是理论，并且也表明那没有体积散开 oGeurs 在退火的前 cimer 激光期间。

钠乙烷准分子产生钠D_2线荧光寿命的实验研究

准分子宽带抽运钠金属激光器具有实现钠信标光源的潜质,该激光器在运转过程中需要借助准分子将钠原子由基态转换为激发态,因此有必要对由准分子解离产生的钠原子激发态荧光寿命开展实验研究。采用不同波长的蓝翼抽运光对不同温度的钠乙烷准分子体系进行激发,分别测量钠D_1线和钠D_2线的荧光寿命。结果表明,3~2P_(3/2)与3~2P_(1/2)能级的荧光寿命明显长于其自然寿命,且激发波长越长,荧光寿命延长得越明显。辐射捕获效应是导致荧光寿命延长的另一个因素。随着泵浦单光子能量下降,钠乙烷准分子被激发到A^2Π_(3/2)态的概率变大,能够长时间产生激发态钠原子,这也会使荧光寿命延长。与钠D_1线相比,钠乙烷准分子体系钠D_2线的放大自发辐射信号的可放大性更好。更好的可放大性以及较长的荧光寿命使得钠D_2线激光更易于实现。

亚飞秒脉冲的产生与控制——饶毓泰基础光学一等奖介绍

亚飞秒脉冲是研究和控制发生在阿秒时间尺度超快物理过程的有效工具.基于分子调制过程,文章作者提出并发展了一系列亚飞秒脉冲产生和操控的技术;围绕频谱合成方案,利用级联二阶非线性效应,实现了多色圆锥辐射注入放大和二维多色阵列及其参量上转换放大;同时,还开展了基于飞秒振荡器及外腔增强技术的高重复频率高次谐波产生与输出耦合的相关研究.