磁致变温效应空调节能系统的探讨

简要回顾了传统空调的发展历史及工作原理。特别介绍了利用固态致冷剂的磁致变温效应的新技术。联合使用固态致冷剂和液态热交换剂必然会提高能量的使用效率,并且对环境的污染大大减小。在众多的温度调节系统中,空调系统使用的极为广泛,消耗了大量的电能,对环境的影响相对来讲也较大。这些现状导致了磁致变温效应的广泛研究,近年来不少部门有了初步的研发计划。此理论探讨表明,使用磁致变温空调的能耗成本要低于传统的空调。

用Origin软件探究HgCdTe单晶的变温霍尔效应

利用Origin软件的模板化绘图、列数据计算、App插件等功能,探究了HgCdTe单晶样品的本征激发温区、禁带宽度、副效应影响等特性.结果表明,Origin软件在处理实验数据方面具有便捷和高效的优势.

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77～400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为lg(|RH|T3/2)-1/T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。

锗单晶体变温霍尔效应实验数据的处理

采用微机控制和数字式数据采集系统，在变温环境下（77～420K）对长为6．0mm、宽为4．0mm、厚为0．6mm的锗样品薄片进行霍尔效直相关数据测量；通过对测量的霍尔电压作数据处理得到锗的霍尔系数RH（T）、电导率σ（T）和霍尔迁移率μH（T）与温度的依赖关系．该实验结果对学生理解半导体物理中的相关知识有重要意义．

变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性

采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K^400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(|RH|)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(|RH|T3/4)-1/T低温杂质电离区的曲线斜率得到施主杂质电离能为Ei=0.012eV。

利用变温霍尔效应计算N型Ge的杂质电离能和禁带宽度

通过变温霍尔效应实验,在77~420K温度范围内对N型Ge标准样品的电学特性进行测量.根据对高温本征导电区斜率的计算,得到样品禁带宽度E_(g);对低温杂质电离区斜率的计算,得到样品杂质电离能E_(i).对计算结果进行比较,■及■曲线更适合用于计算禁带宽度;降温的■曲线更适合用于计算杂质电离能.

砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究

采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs_(2)多晶合成与单晶生长,生长出∅28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs_(2)单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs_(2)晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征。结果表明,合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs_(2)多晶,晶片的原子百分比接近于理想化学计量比。经傅里叶变换红外分光光度计测试发现,初生长的CdGeAs_(2)晶体在11.3μm处的吸收系数为0.117 cm^(-1),经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV。通过变温(110~300 K)霍尔效应测试表明,CdGeAs_(2)晶体在110~300 K温度范围内都为p型导电,载流子浓度p_(H)和霍尔系数R_(H)随温度的升高分别升高和下降,而霍尔迁移率μ_(H)几乎不变。拟合计算出晶体中受主电离能E_(A)=0.305 eV,并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷。

PID自动控温仪在变温霍耳效应研究中的应用

应用计算机控制的PID控温仪研究了锑化铟样品的变温霍耳效应。通过在线控制并记录77K-300K温度范围内锑化铟样品的霍耳电压,估测了样品的禁带宽度。

变温条件下TbDyFe合金高频磁特性和损耗特性分析

超磁致伸缩材料TbDyFe合金具有温度敏感特性,该文测量变温条件下TbDyFe合金在不同频率f和磁通密度幅值Bm时的动态磁特性曲线,结果表明,当励磁磁场频率f和磁通密度幅值Bm一定时,随着环境温度的升高(从10℃增加到80℃),振幅磁导率逐步增加,动态磁滞回线横向变窄,所需磁场强度减少,磁能损耗也逐步减少。在此基础上,针对现有损耗计算模型无法对温度进行有效表征,而导致损耗计算结果误差较大的问题,提出一种变温条件下磁致伸缩材料的高频损耗计算模型,模型通过引入温度有关项对损耗系数进行修正;并且综合考虑高频磁滞特性和趋肤效应的影响,引入损耗附加磁通密度项及损耗附加频率项,从而建立可以有效考虑温度效应的改进损耗计算模型,通过多组测量值及计算值的对比结果验证了该模型的准确性和可行性。

Hg_(1-x)Cd_xTe材料变温特性的实验研究

对碲镉汞（Hg1-xCdxTe）材料的电学特性进行了变温实验研究．通过变温（80～300K）霍尔效应测量，研究了Hg1-xCdxTe材料的霍尔系数RH、电导率σ和霍尔迁移率μH的温度依赖关系．结果表明，Hg1-xCdxTe晶体在低温下为p型导电，而在室温下为n型导电．

东亚季风经向环流数值模拟及结果分析 Ⅱ.模式性能检测及个例分析

局地经向环流诊断模式性能检验及对 １９９４年 ５月１日世界时 １２时东亚季风区局地平均经向环流 的模拟分析，分析所用的是经中科院大气物理研究所处理过的ＮＣＥＰ／ＮＣＡＲ再分析逐日资料．结果表明， 在现行资料条件下模拟达到了预期的效果，证明该模式对局地经圈环流模拟性能良好.在此基础上，根据线性方程的叠加原理，进一步诊断分析方程中各强迫项对经向环流所起的作用．对１９９４年５月１日世界时 １２时东亚季风区局地平均经向环流而言，模拟出的各项的作用与对天气实况进行理论上的定性分析结果是相吻合的．在东亚季风区的经向环流形成过程中，温度平流及绝热加热的作用相当显著．非绝热加热的作 用在本文中没有作确切地比较，因其计算受到水汽资料精度和各层辐射资料缺乏的限制．另外，对流中的 云物理过程也暂时未加以考虑．

ZnO气敏薄膜元件外延中非故意杂质演变机制

采用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)方法在(0001)蓝宝石上生长了具有缓冲层的氧化锌(ZnO)薄膜。利用变温霍尔效应(TDH),电容电压测试仪(CV)和光致发光谱(PL)对其进行了表征。通过拟合变温霍尔效应的测试结果发现氧化锌缓冲层中存在两种浅施主能级,一种的热激活能在50meV左右,另一种的激活能在10 meV左右。从对PL谱的带边锋的分峰拟合的结果来看也存在一个离导带有50 meV左右的浅能级。结合变温霍尔效应、CV和PL谱的分析结果表明:50 meV左右的施主浅能级很可能是由蓝宝衬底中的Al元素扩散至ZnO薄膜所致。