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Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质
1
作者
甄聪棉
郭文哲
+2 位作者
刘璐
田之雪
侯登录
《河北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2020年第4期302-307,共6页
改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃...
改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主.
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关键词
NiCo2O4
外延薄膜
导电机制
变程跃迁
近
程
跃迁
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职称材料
A位La掺杂的单晶化合物Sr_2IrO_4电输运特性
2
作者
段天赐
王好文
+2 位作者
王伟
裴玲
胡妮
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1001-1005,共5页
5 d强自旋轨道耦合氧化物Sr_2IrO_4中的电输运物理是该领域存在争议的一个科学问题。本研究应用flux法成功制备(Sr_(1–x)La_x)_2IrO_4(x=0,0.01,0.02,0.03,0.05)等系列单晶样品,并通过综合物性测量仪对样品电输运特性进行表征。研究表...
5 d强自旋轨道耦合氧化物Sr_2IrO_4中的电输运物理是该领域存在争议的一个科学问题。本研究应用flux法成功制备(Sr_(1–x)La_x)_2IrO_4(x=0,0.01,0.02,0.03,0.05)等系列单晶样品,并通过综合物性测量仪对样品电输运特性进行表征。研究表明:随着La掺杂浓度的增加,样品体系电阻率显著下降,并在x≥0.03时出现金属性(dρab/d T>0)。通过对样品电阻率的一系列拟合发现,未掺杂的Sr_2IrO_4单晶样品在高温部分(T>140 K)和较低温区(40 K<T<80 K)导电机制符合三维变程跳跃模型,中温部分(80 K<T<140 K)导电机制则符合热激发机制;而掺杂样品仅在较低温部分(T<90 K)呈现出明显的变程跳跃电导,并且样品中的激活能随掺杂量增加而减小。通过变程跳跃电导模型拟合发现,掺杂样品中的局域化长度明显大于Ir–O键长,可能是源于系统中载流子产生的退局域化效应。
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关键词
Sr2IrO4
Mott绝缘体
电输运
热激活
三维
变程跃迁
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职称材料
化学气相沉积法制备单层MoS_(2)及其低温电学输运特性研究
3
作者
赵磊
赵鸿宇
+2 位作者
王新琴
郭中华
张正荣
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期1005-1011,共7页
首先利用化学气相沉积法,在300 nm SiO_(2)/Si基底上生长MoS材料,通过光学显微镜、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光光谱等对材料进行表征,实验数据表明成功制备了高质量的单层MoS_(2)材料.其次,制备了基于单层MoS的场效应...
首先利用化学气相沉积法,在300 nm SiO_(2)/Si基底上生长MoS材料,通过光学显微镜、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光光谱等对材料进行表征,实验数据表明成功制备了高质量的单层MoS_(2)材料.其次,制备了基于单层MoS的场效应晶体管,结果表明器件的开关比约为1.0×10^(7).最后测试了器件不同温度下的电学输运特性.结果表明器件在低温(T<100 K)时,其导电机制可以用变程跃迁模型解释,当在高温(T>100 K)时,器件的电学输运特性由近邻跃迁模型确定.这项工作有助于深入理解单层MoS的电学输运特性及其在各种光电器件的应用.
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关键词
化学气相沉积法
二硫化钼
电学输运
变程跃迁
近邻
跃迁
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职称材料
题名
Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质
1
作者
甄聪棉
郭文哲
刘璐
田之雪
侯登录
机构
河北师范大学物理学院
河北省新型薄膜材料实验室
出处
《河北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2020年第4期302-307,共6页
基金
国家自然科学基金(51971087)
河北省自然科学基金(A2018205144)
河北省高等学校自然科学重点项目(ZD2017041)。
文摘
改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主.
关键词
NiCo2O4
外延薄膜
导电机制
变程跃迁
近
程
跃迁
Keywords
NiCo2O4
epitaxial film
conductive mechanism
variable-range hopping
nearest-neighbor hopping
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
A位La掺杂的单晶化合物Sr_2IrO_4电输运特性
2
作者
段天赐
王好文
王伟
裴玲
胡妮
机构
湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心
湖北工业大学理学院
华中科技大学物理学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1001-1005,共5页
基金
国家自然科学基金(11374112
11304091
11604089)~~
文摘
5 d强自旋轨道耦合氧化物Sr_2IrO_4中的电输运物理是该领域存在争议的一个科学问题。本研究应用flux法成功制备(Sr_(1–x)La_x)_2IrO_4(x=0,0.01,0.02,0.03,0.05)等系列单晶样品,并通过综合物性测量仪对样品电输运特性进行表征。研究表明:随着La掺杂浓度的增加,样品体系电阻率显著下降,并在x≥0.03时出现金属性(dρab/d T>0)。通过对样品电阻率的一系列拟合发现,未掺杂的Sr_2IrO_4单晶样品在高温部分(T>140 K)和较低温区(40 K<T<80 K)导电机制符合三维变程跳跃模型,中温部分(80 K<T<140 K)导电机制则符合热激发机制;而掺杂样品仅在较低温部分(T<90 K)呈现出明显的变程跳跃电导,并且样品中的激活能随掺杂量增加而减小。通过变程跳跃电导模型拟合发现,掺杂样品中的局域化长度明显大于Ir–O键长,可能是源于系统中载流子产生的退局域化效应。
关键词
Sr2IrO4
Mott绝缘体
电输运
热激活
三维
变程跃迁
Keywords
Sr2IrO4 Mott insulator
electric transport
thermal activation
3D variable range hopping
分类号
O513 [理学—低温物理]
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职称材料
题名
化学气相沉积法制备单层MoS_(2)及其低温电学输运特性研究
3
作者
赵磊
赵鸿宇
王新琴
郭中华
张正荣
机构
兰州城市学院电子工程学院
出处
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期1005-1011,共7页
基金
甘肃省高等学校青年博士基金(20021QB-116)
兰州城市学院博士科研基金(LZCU-BS2021-06)。
文摘
首先利用化学气相沉积法,在300 nm SiO_(2)/Si基底上生长MoS材料,通过光学显微镜、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光光谱等对材料进行表征,实验数据表明成功制备了高质量的单层MoS_(2)材料.其次,制备了基于单层MoS的场效应晶体管,结果表明器件的开关比约为1.0×10^(7).最后测试了器件不同温度下的电学输运特性.结果表明器件在低温(T<100 K)时,其导电机制可以用变程跃迁模型解释,当在高温(T>100 K)时,器件的电学输运特性由近邻跃迁模型确定.这项工作有助于深入理解单层MoS的电学输运特性及其在各种光电器件的应用.
关键词
化学气相沉积法
二硫化钼
电学输运
变程跃迁
近邻
跃迁
Keywords
CVD method
MoS_(2)
electrical transport
variable-range hopping
nearest neighbor hopping
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质
甄聪棉
郭文哲
刘璐
田之雪
侯登录
《河北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2020
0
下载PDF
职称材料
2
A位La掺杂的单晶化合物Sr_2IrO_4电输运特性
段天赐
王好文
王伟
裴玲
胡妮
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
3
化学气相沉积法制备单层MoS_(2)及其低温电学输运特性研究
赵磊
赵鸿宇
王新琴
郭中华
张正荣
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
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