Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质

改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主.

A位La掺杂的单晶化合物Sr_2IrO_4电输运特性

5 d强自旋轨道耦合氧化物Sr_2IrO_4中的电输运物理是该领域存在争议的一个科学问题。本研究应用flux法成功制备(Sr_(1–x)La_x)_2IrO_4(x=0,0.01,0.02,0.03,0.05)等系列单晶样品,并通过综合物性测量仪对样品电输运特性进行表征。研究表明:随着La掺杂浓度的增加,样品体系电阻率显著下降,并在x≥0.03时出现金属性(dρab/d T>0)。通过对样品电阻率的一系列拟合发现,未掺杂的Sr_2IrO_4单晶样品在高温部分(T>140 K)和较低温区(40 K<T<80 K)导电机制符合三维变程跳跃模型,中温部分(80 K<T<140 K)导电机制则符合热激发机制;而掺杂样品仅在较低温部分(T<90 K)呈现出明显的变程跳跃电导,并且样品中的激活能随掺杂量增加而减小。通过变程跳跃电导模型拟合发现,掺杂样品中的局域化长度明显大于Ir–O键长,可能是源于系统中载流子产生的退局域化效应。

化学气相沉积法制备单层MoS_(2)及其低温电学输运特性研究

首先利用化学气相沉积法,在300 nm SiO_(2)/Si基底上生长MoS材料,通过光学显微镜、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光光谱等对材料进行表征,实验数据表明成功制备了高质量的单层MoS_(2)材料.其次,制备了基于单层MoS的场效应晶体管,结果表明器件的开关比约为1.0×10^(7).最后测试了器件不同温度下的电学输运特性.结果表明器件在低温(T<100 K)时,其导电机制可以用变程跃迁模型解释,当在高温(T>100 K)时,器件的电学输运特性由近邻跃迁模型确定.这项工作有助于深入理解单层MoS的电学输运特性及其在各种光电器件的应用.