Al^(3+)掺杂对La_(0.8)Sr_(0.2)Mn_(1-x)Al_(x)O_(3)电输运性能的影响

钙钛矿锰氧化物La_(1-x)Sr_(x)MnO_(3)(LSMO)作为一种代表性庞磁阻材料,在磁传感器等领域具有广阔的应用前景,但在低磁场和室温下很难获得显著的庞磁阻效应。为提高LSMO磁电阻效应和转变温度,本研究采用传统固相反应法制备了La_(0.8)Sr_(0.2)Mn_(1-x)Al_(x)O_(3)(0≤x≤0.25)(LSMAO)多晶样品,并系统分析了Al^(3+)掺杂对LSMO电输运性质和磁电阻效应的影响。X射线衍射(XRD)图谱表明LSMAO样品具有单一的菱方结构,属于R3C空间群。电输运性质研究发现,样品的电阻率随Al^(3+)的掺杂呈指数型上升,且外加磁场使金属-绝缘体转变温度有所提高。这可能是由于Al^(3+)稀释了Mn^(3+)/Mn^(4+)离子网络,在减少载流子数量的同时增加了磁无序。此外,LSMAO陶瓷的导电机理随Al^(3+)的掺杂从小极化子模型(Small polaron hopping model,SPH)转变成变程跳跃模型(Variable range hopping model,VRH),说明非磁性的Al^(3+)抑制了铁磁团簇间的载流子交换,使得小极化子热激活近邻跃迁过程被抑制。LSMAO的磁电阻效应从21.03%(x=0)增大到59.71%(x=0.25),证明Al^(3+)掺杂可有效增强LSMAO的磁电阻效应。

单根双螺旋碳纤维的电输运性质

在750～790℃温区,利用镍粉作催化剂,采用催化热解法制备得到形状规则的双螺旋碳纤维。在多功能物性测量仪(PPMS)上测量了单根碳纤维的电阻-温度关系,低温I-V曲线,结果发现在300～13K温区满足三维Mott变程跳跃模型,而在13K以下则符合Efros-Shklovskii变程跳跃模型。在I-V曲线上,观察到低温下逐渐变强的电子-电子相互作用。

La_(0.5)Ba_(0.5)CoO_3中Y的替代效应

用固相反应法制备了La0 .5-xYxBa0 .5CoO3多晶材料 ,系统研究了Y的替代对材料磁性和输运特性的影响 ,结果发现 ,Y的掺入主要产生了两种效应 ,一是Y向Co的 3d轨道产生了电荷转移 ,使分子磁矩下降 ,二是出现了Co离子的反铁磁交换作用 ,当Y含量少于或等于 0 .3时 ,材料中出现了自旋的非共线结构。当Y含量大于 0 .3时 ,材料从铁磁态为主转变为反铁磁态为主。对不同Y含量的材料 ,其导电机制都属于极化子的变程跳跃导电 ,随Y含量增加 ,材料电阻率迅速增大。

Fe离子掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系晶体结构、输运性质的影响

采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)系列样品.实验研究了Fe离子掺杂稀土锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3的电输运性质、微观结构和导电机制.结果表明:样品高温下导电遵从Mott变程跳跃机制;相同温度下烧结的样品,体系电阻率急剧增加,绝缘—金属转变温度TIM向低温方向移动.相同Fe替代含量的样品,在1200℃、1250℃、1300℃3个不同烧结温度下,晶格常数c变化不大,晶格常数a、b和晶胞体积随着烧结温度的升高而减小,晶体颗粒和体系电阻率随着烧结温度的升高而增大,绝缘—金属转变温度TIM向高温方向移动.

Zintl相热电材料纳米晶(Mg_(0.97)X_(0.03))_3Sb_2的低温电输运性能

采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2(X=Mg、Cr、Cu、Ti),进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。(Mg0.97X0.03)3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm(Mg3Sb2)下降到137Ωcm((Mg0.97Cr0.03)3Sb2)、121Ωcm((Mg0.97Ti0.03)3Sb2)、109Ωcm((Mg0.97Cu0.03)3Sb2)。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。

La_(0.5-x)Ce_xBa_(0.5)CoO_3化合物的磁性和输运特性

在La0 5 Ba0 5 CoO3 中 ,系统研究了Ce对La的替代效应。Ce的掺入首先产生了电荷转移效应。材料高温磁化率测量表明 ,每个Ce原子向Co的 3d壳层转移 2 86个电子 ,结果随Ce掺入量增加 ,材料磁矩成线性下降。另外 ,随Ce含量增加 ,材料居里温度单调下降 ,这是由于稀土离子的尺寸效应。在所研究的温度范围内 ,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电。由于电荷转移效应 ,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大。当La全部被Ce替代后 。

Pd纳米粒子点阵的电子输运特征及其与纳米粒子覆盖率的关系

研究了Pd纳米粒子点阵在不同温度下的电子输运特性.对于覆盖率达到渗流阈值附近的纳米粒子薄膜,其电导具有显著的量子输运的特征.随着温度的降低,I-V特征曲线表现出越来越明显的非线性,满足Middleton-Wingreen(MW)模型所描述的标度律.处于量子传导态的Pd纳米粒子阵列在低温下以变程跳跃(VRH)为主要输运方式,而在高温下则是以热激活隧穿为主要输运形式.

InAs-SiO_2的电学特性研究

通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性 ,发现其电阻具有VRH电导特性 ,认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维强限域作用导致局域态的波函数交叠引起的。

层状钙钛矿La_(1.2)Sr_(1.8)Cu_(0.04)Mn_(1.96)O_7中的自旋玻璃态和输运性质

用固相烧结的方法成功制备了层状钙钛矿锰氧化物La1.2Sr1.8Cu0.04Mn1.96O7多晶样品。研究发现,在层状钙钛矿La1.2Sr1.8Mn2O7中,用Cu替代Mn对其磁、电的性质影响非常显著。随温度的降低样品表现出从顺磁(PM)到铁磁(FM)及自旋玻璃态(SG)等复杂的磁相变行为。电性测量表明,在整个观察的温区内都表现出绝缘体或半导体的性质。对电阻率-温度曲线进行拟合表明:在低温区采用变程跳跃模型和在高温区采用小极化子模型都得到了较好的线性关系。

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的电学输运特性与膜厚之间关系的研究

利用溶胶-凝胶工艺在SrTiO3单晶衬底上制备了一系列不同厚度的La0.7Ca0.3MnO3薄膜.X射线衍射表明这些薄膜均具有高度的择优取向性和结晶学质量.电学输运性质的研究结果凸显了膜厚的重要作用,主要归因于衬底施加的应力引起的薄膜晶格参数的改变.进一步的分析揭示,在厚度较小的膜中,小极化子的变程跃迁是高温下La0.7Ca0.3MnO3薄膜的主要导电机制,而在较厚的膜中,即使在低温下小极化子也是主要的载流子.

La_(0.5)Ba_(0.5)CoO_3中的Pr掺杂效应

用固相反应法制备了La0.5-xPrxBa0.5CoO3系列化合物,系统研究了Pr不同含量时材料的磁性和电输运特性。结果表明:Pr掺杂没有改变Co的3d电子的巡游特性。随Pr掺杂量增加,材料的分子磁矩单调下降,其原因是当Pr逐渐取代La时,Co离子的3d电子逐渐由中间自旋态向低自旋态转变。随Pr含量增加,材料的居里温度逐渐下降,这是由于稀土离子的尺寸效应。电阻测量表明:在所研究的温度范围内,居里温度以下,所有掺Pr材料的导电机制为热扩散型。居里点以上,导电机制为变程跳跃导电。

Pricing General Exchange Option on Jump-diffusion Model

The problem of general exchange option pricing on jump-diffusion model is presented, we use the methods of the change of numeraire and martingale measure, and get the analytic solution of above option.