基于变门极电阻的IGBT软关断实现

新一代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断速度越来越快,有些IGBT的电流下降时间已经缩短至50 ns内。虽然这样有利于提高IGBT的开关频率,但也会带来一些问题。短路情况下的硬关断所产生的过高电压尖峰足以击穿IGBT。为抑制高电压尖峰的产生,主要描述了在大功率IGBT发生短路的情况下,通过改变门极电阻来实现IGBT软关断的方案,并给出了该方案的具体实现方法。硬短路和软短路情况下的实验结果证明所提出的方案是有效可行的。