裂缝性储层缝网压裂技术研究及应用

裂缝性储层压裂井生产能力主要受主裂缝沟通的天然裂缝系统控制区域的大小影响。裂缝性储层压裂改造后,短期产量来自高导流能力的主裂缝,长期产量则主要来自天然裂缝网络。常规压裂以抑制天然裂缝扩展形成主裂缝为主,其控制的渗流区域较为有限,这与压裂增产形成矛盾。因此,要提高压裂井改造效果,需要保证压裂形成的裂缝形态为网络裂缝,沟通更大的渗流区域和更远的裂缝作用距离,充分发挥主裂缝和天然裂缝网络的增产优势。在研究水力压裂裂缝网络形成条件的基础上,对缝网压裂的关键参数进行了分析研究。现场应用结果表明,缝网压裂的增产效果远远高于常规压裂。

一种应用于低电压GPS接收机的高线性度低噪声放大器

基于0.18μm RFCMOS工艺,设计了一种应用于低电压GPS接收机的高线性度低噪声放大器。采用体偏压控制的跨导导数叠加技术,有效改善了低噪声放大器的线性度,显著提高了辅助管的调节精度。通过在输入端主放大管的栅源两端并联电容的方法,降低二次谐波对三阶交调失真的影响,进一步改善了线性度。同时,折叠式共源共栅的拓扑结构,降低了电路的工作电压。仿真结果表明,在0.9 V供电下,工作频率为1.575 GHz时,该低噪声放大器的输入三阶交调点为6.63 dBm,噪声系数为1.53 dB,增益为13.16 dB,输入回波损耗和输出回波损耗分别为-32. 43 dB和-24. 58 dB,功耗为8. 78 mW。

无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器

物联网设备的数量将在不久的将来得到快速增长。延长电池寿命、提高信号动态范围是物联网通信系统射频前端的主要关注点。为解决射频前端功耗和线性度的问题,提出了一种改进型的吉尔伯特混频器。相比于传统吉尔伯特混频器,该混频器在跨导级采用工作在亚阈值区的PMOS/NMOS互补结构,结合了电流复用技术和导数叠加技术,实现了功耗和线性度的折中;并采用交叉电容耦合形成负阻抗,抵消了寄生电容的影响,从而在低功耗情况下提高了线性度。基于HHNEC 0.18μm Bi CMOS工艺后仿真结果表明,该混频器在射频频率0.4～3 GHz时转换增益为6.2～7.6 d B,在2.4 GHz频率下输入三阶交调点(input third-order intercept point,IIP3)为14.96 d Bm,在电源电压为1 V的情况下功耗为1.8 m W。该混频器核心电路尺寸为460μm×190μm。与相关工作对比,该混频器具有低功耗、高线性度的特点。