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含有损耗双负介质的棱镜波导中古斯汉森位移特性研究
被引量:
1
1
作者
侯俊勇
谢春茂
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期32-33,共2页
研究含有损耗的双负介质导波层的棱镜波导耦合系统中的古斯汉森(Goos-H?nchen,GH)位移增强效应。采用稳态相位理论得出了GH位移的表达式,并推导出获得较大GH位移的充分条件;通过仿真分析,研究了介电常数、包层和导波层的厚度对GH位移的...
研究含有损耗的双负介质导波层的棱镜波导耦合系统中的古斯汉森(Goos-H?nchen,GH)位移增强效应。采用稳态相位理论得出了GH位移的表达式,并推导出获得较大GH位移的充分条件;通过仿真分析,研究了介电常数、包层和导波层的厚度对GH位移的影响,同时验证了增强GH位移的充分条件的有效性。结果表明,利用双负介质做棱镜波导系统的导波层可以有效克服材料自身带来的损耗,实现较大值的GH位移;同时,系统中的GH位移极大值对包层和导波层的厚度的微弱变化(1纳米)十分敏感,可用来制作高灵敏度的表面平整度探测器。
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关键词
波导光学
双负介质
棱镜波导
古斯汉森位移
稳态相位理论
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职称材料
左手材料复合双棱镜内部界面的古斯-汉森位移
被引量:
3
2
作者
王成
王政平
张振辉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2321-2326,共6页
设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,...
设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,反射波与透射波有相同的古斯-汉森位移,透射波的古斯-汉森位移随着薄层厚度的增加而振荡,整体上呈增加趋势;在透射共振点,透射波的古斯-汉森位移达到极大值,且极大值可达入射波波长的数十倍;发现入射角和光轴与界面的角度对透射波的古斯-汉森位移有很大影响.最后简单地探讨了这种双棱镜的潜在应用.
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关键词
左手材料
单轴各向异性
古斯
-
汉森
位移
折射
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职称材料
概率波的古斯-汉森位移
被引量:
1
3
作者
桑芝芳
张凯
高雷
《大学物理》
北大核心
2017年第7期5-8,共4页
概率波在传输过程中很多性质可以与电磁波进行类比,电磁波入射至两种介质的交界面上发生全反射时会产生古斯-汉森位移,概率波在穿透势垒时也有类似的古斯-汉森位移现象,本文推导了概率波穿透方势垒时的古斯-汉森位移表达式,并讨论了该...
概率波在传输过程中很多性质可以与电磁波进行类比,电磁波入射至两种介质的交界面上发生全反射时会产生古斯-汉森位移,概率波在穿透势垒时也有类似的古斯-汉森位移现象,本文推导了概率波穿透方势垒时的古斯-汉森位移表达式,并讨论了该位移与入射角、势垒宽度、粒子能量等参量之间的关系.
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关键词
概率波
方势垒
反射波
古斯
-
汉森
位移
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职称材料
基于Ω粒子的手性特异材料中的古斯-汉森位移
4
作者
黄艳艳
印钱柳
+1 位作者
于祥
于忠卫
《南通大学学报(自然科学版)》
CAS
2021年第4期87-94,共8页
为了研究基于Ω粒子共振模型的各向异性手性特异平板材料的反射光束的偏移效应,利用稳态相位法,给出了反射光束的古斯-汉森(Goos-Hanchen,GH)位移的表达形式。数值模拟结果显示:对于横磁波入射,共同极化反射分量的相对GH位移在两个布儒...
为了研究基于Ω粒子共振模型的各向异性手性特异平板材料的反射光束的偏移效应,利用稳态相位法,给出了反射光束的古斯-汉森(Goos-Hanchen,GH)位移的表达形式。数值模拟结果显示:对于横磁波入射,共同极化反射分量的相对GH位移在两个布儒斯特角处得到增强,而对应于大布儒斯特角的GH位移的增强峰更大。同时,大布儒斯特角处的GH位移的增强对手性材料的厚度和入射频率非常敏感,通过微调厚度或入射频率,可实现GH位移正负增强的转换。在入射角不变的情况下,选择合适的入射频率,可实现不同厚度处共同极化GH位移的正负增强转换。另外,对于固定的手性材料厚度,通过微调入射角,还可实现共同极化GH位移在不同频率处的正负增强。
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关键词
古斯
-
汉森
位移
手性特异材料
稳态相位法
各向异性
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职称材料
各向异性球颗粒的古斯-汉森位移
5
作者
陈久恺
朱雯琦
+1 位作者
高东梁
高雷
《苏州科技大学学报(自然科学版)》
CAS
2018年第4期44-47,共4页
从Lorenz-Mie散射理论出发,研究了平面波照射到各向异性球颗粒上出现的古斯-汉森(GH)位移。当颗粒半径较小时,电共振对GH位移有显著增强,其峰值随着各向异性电参数的变大而变小并且峰值位置向右移动;对于特殊的近零材料(εr近0),GH位移...
从Lorenz-Mie散射理论出发,研究了平面波照射到各向异性球颗粒上出现的古斯-汉森(GH)位移。当颗粒半径较小时,电共振对GH位移有显著增强,其峰值随着各向异性电参数的变大而变小并且峰值位置向右移动;对于特殊的近零材料(εr近0),GH位移数值较大,且随着各向异性电参数的变大而变小,此时峰值位置向左移动。对各向异性球颗粒中GH位移的研究,将有利于各向异性材料在微波或光学系统中的应用。
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关键词
古斯
-
汉森
位移
各向异性
电共振
近零材料
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职称材料
含各向异性特异材料三明治结构的Goos-Hnchen位移研究
被引量:
1
6
作者
赵玉环
张利伟
+4 位作者
王勤
李卫彬
李立新
赵军芳
杜桂强
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期463-468,共6页
采用稳态相位法研究了正折射率材料/各向异性特异材料/金属三明治结构反射波的Goos-Hnchen(GH)位移.分别给出了在第一界面处发生全反射和部分反射情况下GH位移的解析表达式,并分析了含有4种不同类型特异材料三明治结构反射波产生GH位...
采用稳态相位法研究了正折射率材料/各向异性特异材料/金属三明治结构反射波的Goos-Hnchen(GH)位移.分别给出了在第一界面处发生全反射和部分反射情况下GH位移的解析表达式,并分析了含有4种不同类型特异材料三明治结构反射波产生GH位移的条件及GH位移的正负情况.通过数值计算系统研究了各向异性特异材料的光轴与界面的夹角α、入射角φ以及特异材料厚度d对GH位移的影响,计算结果与理论分析有很好的吻合.通过对特异材料结构中GH位移的研究,将有利于特异材料在微波或光学系统中的应用.
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关键词
古斯
-
汉森
位移
特异材料
各向异性
全反射
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职称材料
光束在一维光子晶体中的古-汉位移特性
7
作者
王涛
蒲继雄
《华侨大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2009年第5期509-512,共4页
根据传输矩阵法,研究光束在一维光子晶体中的古斯-汉森位移.结果表明,光子晶体结构的随机误差能够增强光子禁带中的古斯-汉森位移.该位移与光子晶体材料的折射率、光子晶体的周期数,以及光束的入射角有关.研究结果还表明,在掺杂的一维...
根据传输矩阵法,研究光束在一维光子晶体中的古斯-汉森位移.结果表明,光子晶体结构的随机误差能够增强光子禁带中的古斯-汉森位移.该位移与光子晶体材料的折射率、光子晶体的周期数,以及光束的入射角有关.研究结果还表明,在掺杂的一维光子晶体中,结构的随机误差会降低缺陷态附近的古斯-汉森位移,同时在禁带的其他地方,位移得到增强.
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关键词
古斯
-
汉森
位移
一维光子晶体
随机误差
透射光束
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职称材料
金属层与单层石墨烯准晶体的古斯-汉森位移
8
作者
李正阳
笪海霞
颜晓红
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023年第9期366-370,共5页
针对一般多层光子晶体中的古斯-汉森位移的幅值较小的情况,需要寻找其他类型的结构来增强古斯-汉森位移。通过传输矩阵法探究金属层、介电层和准周期光子晶体所组成的结构的古斯-汉森位移,其中准周期光子晶体是由电介质材料和单层石墨...
针对一般多层光子晶体中的古斯-汉森位移的幅值较小的情况,需要寻找其他类型的结构来增强古斯-汉森位移。通过传输矩阵法探究金属层、介电层和准周期光子晶体所组成的结构的古斯-汉森位移,其中准周期光子晶体是由电介质材料和单层石墨烯以斐波那契数列的方式排列而成。结果表明,该结构的古斯-汉森位移因所激发的金属的等离子体极化激元成功地在指定的工作波长2μm处实现了放大,其峰值可达到入射波长的7330倍。还研究了单层石墨烯的光学参数、介电材料的厚度对位移的影响,证实了改变这些参数可以实现对古斯-汉森位移的调控。
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关键词
光学器件
古斯
-
汉森
位移
单层石墨烯
光子晶体
等离子体极化激元
原文传递
各向异性异质材料中的Goos-Hnchen位移研究
9
作者
黄艳艳
于忠卫
+1 位作者
吉正源
钱盈家
《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期708-714,共7页
对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟...
对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟,结果显示,在μz<0的情况下,频率ω分布在4~6GHz之间时,各向异性材料为NI-QLHM.而磁导率分量|μz|越小,在NI-QLHM频率区域越容易实现全反射;随着频率的增加,临界角减小,从而发生全反射的入射角的范围增加,同时也将导致准左手化材料的有效折射率减小.结果还显示,对于同一个入射角,随着频率ω的增加,古斯-汉森位移减小,即随着折射率n的减小,古斯-汉森位移减小.而穿透深度dz与古斯-汉森位移d相对应,穿透深度越大,古斯-汉森位移也越大.
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关键词
负折射率
准左手化材料
古斯
-
汉森
位移
各向异性
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职称材料
二维光子晶体的负古斯-汉森位移
被引量:
2
10
作者
戴峭峰
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2010年第7期101-104,共4页
利用传输矩阵法研究了高斯光束被二维光子晶体反射时所出现的古斯-汉森(GH)位移。在反射带内,对于完整的光子晶体,反射时出现的古斯-汉森位移很小;当适当地改变表层空气柱的半径时,可以在反射带内获得数十倍于晶格常数的负古斯-汉森位...
利用传输矩阵法研究了高斯光束被二维光子晶体反射时所出现的古斯-汉森(GH)位移。在反射带内,对于完整的光子晶体,反射时出现的古斯-汉森位移很小;当适当地改变表层空气柱的半径时,可以在反射带内获得数十倍于晶格常数的负古斯-汉森位移。对这种性质的研究将有助于提高光子晶体和其他微、纳米光学器件互连时的耦合效率。
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关键词
集成光学
古斯
-
汉森
位移
传输矩阵
光子晶体
原文传递
SOI纳米线波导导光机理的物理分析
被引量:
1
11
作者
李运涛
徐学俊
+2 位作者
黄庆忠
俞育德
余金中
《物理》
CAS
北大核心
2012年第2期107-109,共3页
SOI(silicon-on-insulator)纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一.文章从基本的导波光学理论出发,引入古斯-汉森位移理论,对SOI纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释和模拟结果.
关键词
绝缘体上的硅
纳米线波导
古斯
-
汉森
位移
原文传递
左手材料研究综述
12
作者
田立斌
张洪林
胡斌杰
《中国科技成果》
2009年第12期33-37,共5页
左手材料是一种人造材料,其材料参数ε与u同时为负值。电磁波在左手材料中传播时,电场矢量、碰场矢量以及波矢量满足左手定则。它在滤波器、功分器及天线等领域有极其重要的应用,此外,左手材料还具有超级解像特性,所以也可用于制...
左手材料是一种人造材料,其材料参数ε与u同时为负值。电磁波在左手材料中传播时,电场矢量、碰场矢量以及波矢量满足左手定则。它在滤波器、功分器及天线等领域有极其重要的应用,此外,左手材料还具有超级解像特性,所以也可用于制作超级透镜。本文从左手材料的特性与分类入手,探讨了左手材料所特有的负折射特性、反多普勒现象、反古斯-汉森位移及零反射特性。本文还阐述了目前常用的几种判断材料是否具有左手特性的几种方法。此外,本文还对左手材料的热点应用做了介绍。
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关键词
左手材料
负折她反多普勒现象
反
古斯
-
汉森
位移
超级透镜
原文传递
题名
含有损耗双负介质的棱镜波导中古斯汉森位移特性研究
被引量:
1
1
作者
侯俊勇
谢春茂
机构
西南石油大学应用技术学院
西华师范大学物理与电子信息学院
出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期32-33,共2页
基金
四川省教育厅重点项目(14ZA0054)
文摘
研究含有损耗的双负介质导波层的棱镜波导耦合系统中的古斯汉森(Goos-H?nchen,GH)位移增强效应。采用稳态相位理论得出了GH位移的表达式,并推导出获得较大GH位移的充分条件;通过仿真分析,研究了介电常数、包层和导波层的厚度对GH位移的影响,同时验证了增强GH位移的充分条件的有效性。结果表明,利用双负介质做棱镜波导系统的导波层可以有效克服材料自身带来的损耗,实现较大值的GH位移;同时,系统中的GH位移极大值对包层和导波层的厚度的微弱变化(1纳米)十分敏感,可用来制作高灵敏度的表面平整度探测器。
关键词
波导光学
双负介质
棱镜波导
古斯汉森位移
稳态相位理论
Keywords
guided wave optics
double-negative material
prism-waveguide
Goos-Hanchen lateral shift
stationary-state method
分类号
O441 [理学—电磁学]
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职称材料
题名
左手材料复合双棱镜内部界面的古斯-汉森位移
被引量:
3
2
作者
王成
王政平
张振辉
机构
哈尔滨工程大学理学院
黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室
黑龙江大学集成电路重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2321-2326,共6页
文摘
设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,反射波与透射波有相同的古斯-汉森位移,透射波的古斯-汉森位移随着薄层厚度的增加而振荡,整体上呈增加趋势;在透射共振点,透射波的古斯-汉森位移达到极大值,且极大值可达入射波波长的数十倍;发现入射角和光轴与界面的角度对透射波的古斯-汉森位移有很大影响.最后简单地探讨了这种双棱镜的潜在应用.
关键词
左手材料
单轴各向异性
古斯
-
汉森
位移
折射
Keywords
Left-handed material Uniaxially anisotropic Goos-Hanchen shift
Refractionl
分类号
O431 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
概率波的古斯-汉森位移
被引量:
1
3
作者
桑芝芳
张凯
高雷
机构
苏州大学物理与光电.能源学部
出处
《大学物理》
北大核心
2017年第7期5-8,共4页
基金
国家自然科学基金项目(11374233)
江苏省教育科学"十二五"规划2013年度课题(D/2013/01/105)资助
文摘
概率波在传输过程中很多性质可以与电磁波进行类比,电磁波入射至两种介质的交界面上发生全反射时会产生古斯-汉森位移,概率波在穿透势垒时也有类似的古斯-汉森位移现象,本文推导了概率波穿透方势垒时的古斯-汉森位移表达式,并讨论了该位移与入射角、势垒宽度、粒子能量等参量之间的关系.
关键词
概率波
方势垒
反射波
古斯
-
汉森
位移
Keywords
probability wave
rectangular potential barrier
reflectance
Goos-Hanchen shift
分类号
O413.1 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
基于Ω粒子的手性特异材料中的古斯-汉森位移
4
作者
黄艳艳
印钱柳
于祥
于忠卫
机构
南通大学理学院
出处
《南通大学学报(自然科学版)》
CAS
2021年第4期87-94,共8页
基金
国家自然科学基金项目(11604163)
江苏省大学生创新创业训练计划项目(201910304005Z)。
文摘
为了研究基于Ω粒子共振模型的各向异性手性特异平板材料的反射光束的偏移效应,利用稳态相位法,给出了反射光束的古斯-汉森(Goos-Hanchen,GH)位移的表达形式。数值模拟结果显示:对于横磁波入射,共同极化反射分量的相对GH位移在两个布儒斯特角处得到增强,而对应于大布儒斯特角的GH位移的增强峰更大。同时,大布儒斯特角处的GH位移的增强对手性材料的厚度和入射频率非常敏感,通过微调厚度或入射频率,可实现GH位移正负增强的转换。在入射角不变的情况下,选择合适的入射频率,可实现不同厚度处共同极化GH位移的正负增强转换。另外,对于固定的手性材料厚度,通过微调入射角,还可实现共同极化GH位移在不同频率处的正负增强。
关键词
古斯
-
汉森
位移
手性特异材料
稳态相位法
各向异性
Keywords
Goos-Hänchen(GH)shift
chiral metamaterial
stationary phase method
anisotropic
分类号
O435.1 [机械工程—光学工程]
TN247 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
各向异性球颗粒的古斯-汉森位移
5
作者
陈久恺
朱雯琦
高东梁
高雷
机构
苏州大学物理科学与技术学院
出处
《苏州科技大学学报(自然科学版)》
CAS
2018年第4期44-47,共4页
基金
国家自然科学基金面上项目(11374223)
江苏省自然科学基金资助项目(BK20150306)
文摘
从Lorenz-Mie散射理论出发,研究了平面波照射到各向异性球颗粒上出现的古斯-汉森(GH)位移。当颗粒半径较小时,电共振对GH位移有显著增强,其峰值随着各向异性电参数的变大而变小并且峰值位置向右移动;对于特殊的近零材料(εr近0),GH位移数值较大,且随着各向异性电参数的变大而变小,此时峰值位置向左移动。对各向异性球颗粒中GH位移的研究,将有利于各向异性材料在微波或光学系统中的应用。
关键词
古斯
-
汉森
位移
各向异性
电共振
近零材料
Keywords
Goos-Hanchen shift
anisotropy
electrical resonance
epsilon-near-zero materials
分类号
O436.2 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
含各向异性特异材料三明治结构的Goos-Hnchen位移研究
被引量:
1
6
作者
赵玉环
张利伟
王勤
李卫彬
李立新
赵军芳
杜桂强
机构
河南理工大学物理化学学院
同济大学波耳固体物理研究所
山东大学威海分校空间科学与物理学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期463-468,共6页
基金
国家自然科学基金项目(10904032、11004121)
中国博士后科学基金(20100480629)
+1 种基金
河南省教育厅自然科学基金(2010B140005、2010A140004、2008A430009)
河南省科技计划项目(092300410215、092102210363)
文摘
采用稳态相位法研究了正折射率材料/各向异性特异材料/金属三明治结构反射波的Goos-Hnchen(GH)位移.分别给出了在第一界面处发生全反射和部分反射情况下GH位移的解析表达式,并分析了含有4种不同类型特异材料三明治结构反射波产生GH位移的条件及GH位移的正负情况.通过数值计算系统研究了各向异性特异材料的光轴与界面的夹角α、入射角φ以及特异材料厚度d对GH位移的影响,计算结果与理论分析有很好的吻合.通过对特异材料结构中GH位移的研究,将有利于特异材料在微波或光学系统中的应用.
关键词
古斯
-
汉森
位移
特异材料
各向异性
全反射
Keywords
Goos-Hnchen shift
metamaterials
anisotropic
total reflection
分类号
O431 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
光束在一维光子晶体中的古-汉位移特性
7
作者
王涛
蒲继雄
机构
华侨大学信息科学与工程学院
出处
《华侨大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2009年第5期509-512,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60477041)
福建省科技计划重点项目(2007H0027)
华侨大学科研基金资助项目(07HZR29)
文摘
根据传输矩阵法,研究光束在一维光子晶体中的古斯-汉森位移.结果表明,光子晶体结构的随机误差能够增强光子禁带中的古斯-汉森位移.该位移与光子晶体材料的折射率、光子晶体的周期数,以及光束的入射角有关.研究结果还表明,在掺杂的一维光子晶体中,结构的随机误差会降低缺陷态附近的古斯-汉森位移,同时在禁带的其他地方,位移得到增强.
关键词
古斯
-
汉森
位移
一维光子晶体
随机误差
透射光束
Keywords
Goos-Hanchen shift
one-dimensional photonic crystals
random error
transmitted beam
分类号
O436.1 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
金属层与单层石墨烯准晶体的古斯-汉森位移
8
作者
李正阳
笪海霞
颜晓红
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院
江苏省射频与微纳电子实验室
江苏大学材料科学与工程学院
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023年第9期366-370,共5页
基金
国家自然科学基金(11774179)。
文摘
针对一般多层光子晶体中的古斯-汉森位移的幅值较小的情况,需要寻找其他类型的结构来增强古斯-汉森位移。通过传输矩阵法探究金属层、介电层和准周期光子晶体所组成的结构的古斯-汉森位移,其中准周期光子晶体是由电介质材料和单层石墨烯以斐波那契数列的方式排列而成。结果表明,该结构的古斯-汉森位移因所激发的金属的等离子体极化激元成功地在指定的工作波长2μm处实现了放大,其峰值可达到入射波长的7330倍。还研究了单层石墨烯的光学参数、介电材料的厚度对位移的影响,证实了改变这些参数可以实现对古斯-汉森位移的调控。
关键词
光学器件
古斯
-
汉森
位移
单层石墨烯
光子晶体
等离子体极化激元
Keywords
optical devices
GoosHänchen shift
monolayer graphene
photonic crystal
surface plasmon polaritons
分类号
O435 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
各向异性异质材料中的Goos-Hnchen位移研究
9
作者
黄艳艳
于忠卫
吉正源
钱盈家
机构
南通大学理学院
出处
《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期708-714,共7页
基金
国家自然科学基金(11604163
11447229)
江苏省大学生创新创业训练计划(201610304006Z)
文摘
对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟,结果显示,在μz<0的情况下,频率ω分布在4~6GHz之间时,各向异性材料为NI-QLHM.而磁导率分量|μz|越小,在NI-QLHM频率区域越容易实现全反射;随着频率的增加,临界角减小,从而发生全反射的入射角的范围增加,同时也将导致准左手化材料的有效折射率减小.结果还显示,对于同一个入射角,随着频率ω的增加,古斯-汉森位移减小,即随着折射率n的减小,古斯-汉森位移减小.而穿透深度dz与古斯-汉森位移d相对应,穿透深度越大,古斯-汉森位移也越大.
关键词
负折射率
准左手化材料
古斯
-
汉森
位移
各向异性
Keywords
negative refractive index
quasi-left-handed material
Goos-Hnchen shift
anisotropy
分类号
O441.4 [理学—电磁学]
下载PDF
职称材料
题名
二维光子晶体的负古斯-汉森位移
被引量:
2
10
作者
戴峭峰
机构
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术广东省教育厅重点实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2010年第7期101-104,共4页
基金
国家自然科学基金(60908040)
教育部博士点基金(20094407120011)
广东省自然科学基金(9451063101002256)资助课题
文摘
利用传输矩阵法研究了高斯光束被二维光子晶体反射时所出现的古斯-汉森(GH)位移。在反射带内,对于完整的光子晶体,反射时出现的古斯-汉森位移很小;当适当地改变表层空气柱的半径时,可以在反射带内获得数十倍于晶格常数的负古斯-汉森位移。对这种性质的研究将有助于提高光子晶体和其他微、纳米光学器件互连时的耦合效率。
关键词
集成光学
古斯
-
汉森
位移
传输矩阵
光子晶体
Keywords
integrated optics
Goos-Hanchen shift
transfer matrix method
photomc crystal
分类号
O734 [理学—晶体学]
原文传递
题名
SOI纳米线波导导光机理的物理分析
被引量:
1
11
作者
李运涛
徐学俊
黄庆忠
俞育德
余金中
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心
华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)
出处
《物理》
CAS
北大核心
2012年第2期107-109,共3页
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302803
2011CB301701)
国家自然科学基金青年基金(批准号:61007033)资助项目
文摘
SOI(silicon-on-insulator)纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一.文章从基本的导波光学理论出发,引入古斯-汉森位移理论,对SOI纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释和模拟结果.
关键词
绝缘体上的硅
纳米线波导
古斯
-
汉森
位移
Keywords
silicon-on-insulator, nanowire waveguide, Goos-- Hanchen displacement
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
左手材料研究综述
12
作者
田立斌
张洪林
胡斌杰
机构
华南理工大学电子与信息学院
出处
《中国科技成果》
2009年第12期33-37,共5页
文摘
左手材料是一种人造材料,其材料参数ε与u同时为负值。电磁波在左手材料中传播时,电场矢量、碰场矢量以及波矢量满足左手定则。它在滤波器、功分器及天线等领域有极其重要的应用,此外,左手材料还具有超级解像特性,所以也可用于制作超级透镜。本文从左手材料的特性与分类入手,探讨了左手材料所特有的负折射特性、反多普勒现象、反古斯-汉森位移及零反射特性。本文还阐述了目前常用的几种判断材料是否具有左手特性的几种方法。此外,本文还对左手材料的热点应用做了介绍。
关键词
左手材料
负折她反多普勒现象
反
古斯
-
汉森
位移
超级透镜
分类号
TN253 [电子电信—物理电子学]
TB851 [一般工业技术—摄影技术]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
含有损耗双负介质的棱镜波导中古斯汉森位移特性研究
侯俊勇
谢春茂
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
下载PDF
职称材料
2
左手材料复合双棱镜内部界面的古斯-汉森位移
王成
王政平
张振辉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
下载PDF
职称材料
3
概率波的古斯-汉森位移
桑芝芳
张凯
高雷
《大学物理》
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
4
基于Ω粒子的手性特异材料中的古斯-汉森位移
黄艳艳
印钱柳
于祥
于忠卫
《南通大学学报(自然科学版)》
CAS
2021
0
下载PDF
职称材料
5
各向异性球颗粒的古斯-汉森位移
陈久恺
朱雯琦
高东梁
高雷
《苏州科技大学学报(自然科学版)》
CAS
2018
0
下载PDF
职称材料
6
含各向异性特异材料三明治结构的Goos-Hnchen位移研究
赵玉环
张利伟
王勤
李卫彬
李立新
赵军芳
杜桂强
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
7
光束在一维光子晶体中的古-汉位移特性
王涛
蒲继雄
《华侨大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
8
金属层与单层石墨烯准晶体的古斯-汉森位移
李正阳
笪海霞
颜晓红
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023
0
原文传递
9
各向异性异质材料中的Goos-Hnchen位移研究
黄艳艳
于忠卫
吉正源
钱盈家
《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
10
二维光子晶体的负古斯-汉森位移
戴峭峰
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2010
2
原文传递
11
SOI纳米线波导导光机理的物理分析
李运涛
徐学俊
黄庆忠
俞育德
余金中
《物理》
CAS
北大核心
2012
1
原文传递
12
左手材料研究综述
田立斌
张洪林
胡斌杰
《中国科技成果》
2009
0
原文传递
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