金刚线切割单晶片纳米金属铜催化可控制绒研究

金属催化刻蚀制绒方法(MCCE)有望突破金刚线切割硅片表面高效制绒所面临挑战而备受关注.针对传统金属催化刻蚀过程中使用贵金属(Ag、Au、Pt等)作为催化剂成本较高的问题,本文采用廉价金属铜作为催化剂,进行金刚线切割单晶硅片的可控制绒研究.选取HF-HNO_3、HF-FeCl_3-Cu(NO_3)_2、HF-H_2O_2-Cu(NO_3)_2三种刻蚀体系对硅片进行刻蚀处理.研究结果表明,常规HF-HNO_3酸刻蚀体系未能有效去除线痕且陷光性能不佳;而铜铁催化刻蚀体系虽解决线痕问题,但其仍具有高反射率;铜催化辅助刻蚀体系引入的倒金字塔结构能够有效地解决线痕非均匀性问题,且在400~1 000 nm的波长范围内,获得最低平均反射率4.46%.论文提出的金属铜催化可控制绒方法在保证成本较低的同时能够获得良好的制绒效果,表现出较好的产业化前景.