单结晶体管振荡电路的Multisim14.0仿真及自制

通过对不同种类的单结晶体管的结构和工作原理的阐述,以及自制电路的仿真和实际波形分析研究,比较详尽的论述了单结晶体管自激振荡电路设计制作和使用中应注意的事项,真实电路的制作测试考验个人的综合素养和创新能力,有利于对所学知识的深入理解和认知的升华。

24GHz低相位噪声单片集成VCO

介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出。由于振荡器采用了推-推压控振荡器(push-push VCO)结构,相比传统的通过低频VCO芯片和倍频器级联技术实现的24 GHz VCO具有更低的相位噪声,测试结果表明芯片在不同温度、振动以及其他条件下表现出良好的相位噪声,在0～13 V的电调电压条件下输出频率为23～25.5 GHz,输出功率在5 V直流工作电压条件下为9 dBm,相位噪声低至-92 dBc/Hz@100 kHz。同时1/2次谐波输出及八分频器电路提供的1/16次谐波输出性能良好。

Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO

利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻，以此为依据进行输出匹配网络的优化设计．给出了电路制作和测试结果，在17．79-17．89GHz频率上获得了16dBm的输出功率．

5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器

介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管（InGaP/GaAs HBT）功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路（MMIC）技术和射频基板封装技术得以实现。在5.8~6.2GHz的频率范围内,用连续波（CW）信号测试放大器得到的1dB压缩点输出功率都大于31dBm,饱和输出功率都大于32dBm、最大的附加功率效率（PAE）都大于56%。

应用于2G/3G移动通讯的多频多模高谐波抑制功率放大器

介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915 MHz的低频段时,功率放大模块支持2G的GSM850与GSM900频段;工作在1 710~2 025 MHz的高频段时,功率放大器模块支持2G的DCS1800、PCS1900频段与3G的TD-SCDMA频段。文中引入一种由二极管、电容和电阻组成的负反馈增益控制电路,用于改变放大器的功率增益大小与增益平坦度。利用射频基板与芯片封装技术,提出了一种易于实现且可调性很大的谐波抑制结构。