一次性可编程存储器的数据保持特性建模及分析

基于300 mm 0.18μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OTP器件的保持特性进行建模。通过225℃、250℃和275℃条件下的高温老化加速实验,拟合样品最大数据保持时间曲线。在生产过程中可能出现的最差产品条件下,对1/(kT)与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算在不同失效条件下的浮栅电荷泄漏的激活能和最大数据保持时间。

嵌入式可编程存储器设计中的“选择性寄存”方法

该文提出一种"选择性寄存"的方法用于解决同步双端口存储器IP同时对同一地址进行读写操作时造成的读出数据丢失的问题。利用该方法,通过使用同步双端口存储器IP和标准单元来设计嵌入式可编程存储器,可减小设计的复杂度、增强设计的可移植性,从而大大缩短嵌入式可编程存储器的开发周期。该文设计的嵌入式可编程存储器采用SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺流片。测试结果表明,与相近工艺尺寸、相同存储容量的全定制嵌入式可编程存储器相比,它们在功能上兼容,在性能上相当。

嵌入式可编程存储器中的字宽配置实现

提出了一种利用同步双端口存储器IP和标准单元来实现嵌入式可编程存储器中的字宽配置的方案以降低设计的复杂性,提高设计效率.通过寄存输出控制信号来优化嵌入式可编程存储器混合宽度配置的实现结构以增强读出数据的稳定性.对比试验表明,优化后的结构还有利于提高复杂实现电路的性能.该优化结构的嵌入式可编程存储器已在SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺线上流片.测试结果表明,其读出数据具有良好的稳定性,在读出时间方面与相近工艺、相同存储容量的采用全定制方法设计的商用嵌入式可编程存储器相当.

特许半导体与eMemory公司联合推出可编程存储解决方案

全世界首次经过硅代工厂鉴定的 OTP 存储器;可提供设计服务,具有经过投片验证,采用0.35微米半导体制造工艺的通用模块单元库。

可擦除可编程只读存储器的复制

目前计算机技术迅速发展 ,EPROM在程控系统中得到广泛应用。本文从应用的角度 ,设计一种切实可行的能对EPROM进行程序复制的电路 ,并扼要的阐述了电路的工作原理 ,让从事各种程控系统的工作人员 ,在不具备EPROM程序复制所需的专门设备情况下 ,也能把程序复制和写入到EPROM中去。

可编程串行存储器25045及其在包装机中的应用

介绍了串行快擦写存储器２５０４５功能特点、工作原理以及２５０４５在包装机控制器中的应用。

多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析

基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10^(4)次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。

电可擦除可编程只读存储器在嵌入式系统的应用研究

在嵌入式系统应用中,为了避免控制系统在配置初始化数据、设置运行参数等在突发掉电情况下重要信息丢失,常采用电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)[1]。嵌入式EEPROM存储器已成为当今片E系统设计解决方案的一个至关重要的部分。为了解决存储器读写控制难的问题,本文以FPGA作为主控制芯片,采用自顶向下的设计理念,研究设计了一款基于可编程逻辑的读/写EEPROM控制器[2],经过对控制系统的功能需求分解、设计实现及仿真验证,证明该控制器具有读写数据稳定、使用方便、成本低廉、适用性广等特点。

可应用于手机的AMD低压快擦写可编程只读存储器

AMD从事快擦写可编程只读存储器(以下简称闪存)的制造已有10年的历史,到目前,AMD具有专门的世界级闪存生产线,能够提供功能最全面的闪存产品.实际上,闪存已成为AMD的主要存储器业务.AMD不仅因获得100多项闪存技术专利而被公认为闪存产品及技术上的领袖,而且为闪存工业建立了质量标准.AMD的负栅擦除闪存结构已为全球85%以上的闪存供应商所接受,在世界范围内,销售的超过60%的闪存产品可与AMD的兼容.图1反映的是20世纪90年代的全球闪存市场情况,从中可以看出AMD的重要贡献.除了市场的牵引,AMD所推行的产品增值解决方案、所具有的业界领先的技术水平以及世界级大规模专门生产线,都是导致AMD在闪存领域取得成功的重要因素.

大规模芯片内嵌存储器的BIST测试方法研究

随着大规模芯片的块存储器(block random access memory,BRAM)数量不断增多,常见的存储器内建自测试(memory build-in-self test,Mbist)方法存在故障覆盖率低、灵活性差等问题。为此,提出了一种新的基于可编程有限状态机的Mbist方法,通过3个计数器驱动的可编程Mbist控制模块和算法模块集成8种测试算法,提高故障覆盖率和灵活性。采用Verilog语言设计了所提出的Mbist电路,通过Modelsim对1 Kbit×36的BRAM进行仿真并在自动化测试系统上进行了实际测试。实验结果表明,该方法对BRAM进行测试能够准确定位故障位置,故障的检测率提高了15.625%,测试效率提高了26.1%,灵活性差的问题也得到了很大改善。

可编程逻辑器件的发展概述

数字集成电路经历了从小规模集成电路(SSI),中规模集成电路(MSI),大规模集成电路(LSI),和超大规模集成电路(VLSI)的发展过程。PLD器件由早期的可编程只读存储器、可编程逻辑阵列、可编程阵列逻辑、通用阵列逻辑发展到复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列。PLD器件使数字系统的设计更加便利和高效,FPGA/CPLD和ASIC融合的趋势也越来越明显。

Synopsys推出可用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

Synopsys,Inc.宣布：即日起推出面向多种180 nm工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）。这些产品包括数次可编程（FTP）IP、射频识别（RFID）IP多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。

Synopsys推出可用于180nmCMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

新思科技有限公司日前宣布：即日起推出面向多种180纳米工艺技术的Design Ware AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）。这些产品包括数次可编程（FTP）IP、射频识别（RFID）IP、多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）、多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。

用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

这些用于180纳米工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）包括数次可编程（FTP）IP、射频识别（RFID）IP多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先工艺技术并具有100多种不同的存储配置，

OTP存储器位线负载对读出速度的影响

在OTP存储器设计中,随着存储器容量的不断加大,位线负载也相应变大,可能导致读机制失效。为了防止发生读机制失效,需增加灵敏放大器充电时间,但是延长充电时间会影响读取速度。在分析OTP存储器灵敏放大器工作原理的基础上,重点研究了位线负载对读出速度的影响。通过仿真,优化了OTP存储器的读出电路参数。

爆炸闪光脉冲波形实时采集与存储系统

介绍了一种针对爆炸时刻的测量而设计的爆炸波形实时采集与存储系统.该系统通过可编程逻辑阵列控制模数转换器的时序来完成数据实时采集,同时将采集到的数据实时存储到闪速存储器中.数据采集存储结束后,后系统通过PC/104总线传至PC/104计算机以便进行数据的后续处理获得完整的爆炸波形来判断爆炸时刻.

TMS320F2812串行外设存储在APF控制系统中的应用

用户参数存储是电力电子装置一个重要技术环节,TI TMS320F2812是被用做变流器数字控制的主流芯片之一。本文介绍了一种基于TMS320F2812芯片的串行外设接口(SPI)模块与串行EEPROM X25650AF的数据保存电路。重点给出了数据存储和读取的子程序流程图,C语言代码,以及调试步骤。最后,将此存储系统成功的应用于一种有源电力滤波器(active power filter,APF)的用户参数存储,实现了APF选择性谐波补偿功能记录。

TMS320LF2407 SPI存储器的扩展设计

Microchip公司生产的25LC040(串行电擦除可编程只读存储器)是串行EEPROM,不需要复杂的地址、数据和控制总线,仅由几根线就可以完成存储操作,可以节省大量的硬件资源,对一些I/O口线比较紧张的系统来说尤其重要。基于DSP TMS320LF2407的控制系统,可以利用串行外设接口(SPI)模块扩展存储器。本文针对这两种接口的时序配合问题给出了从接口电路到软件设计的解决方案。