-
题名高速低功耗GaN功率放大器调制器
被引量:2
- 1
-
-
作者
王鑫
马琳
-
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
-
出处
《现代信息科技》
2020年第11期45-47,50,共4页
-
文摘
为了满足现代雷达调制速度需求,文章基于CMOS工艺设计了一种高速低功耗GaN功率放大器调制器芯片.芯片采用栅极调制方式,调制频率高达10 MHz.调制输出在正常栅压Vg和-5 V之间,Vg采用五位并行数字控制位编程输出,输出范围在-3.2 V到-1.2 V之间,覆盖了GaN放大器栅极所需驱动电压的所有范围.测试结果表明:接20 W GaN功率放大器时,调制上升时间为2.8 ns,下降时间2.0 ns,10 MHz工作频率下功耗5 mA.此芯片采用CMOS工艺流片,芯片面积2.4 mm×3.2 mm.
-
关键词
漏极调制
栅极调制
可编程栅压
GaN放大器
-
Keywords
drain modulation
gate modulation
programmable gate voltage
GaN amplifier
-
分类号
TN761
[电子电信—电路与系统]
-