应用于近场通信(NFC)的NiCuZn铁氧体材料制备与表征

采用传统陶瓷工艺制备了NiCuZn系铁氧体材料。采用流延法制备了长宽为125×125mm、厚度为50～200μm的NiCuZn铁氧体薄片。测试了铁氧体材料的微观形貌与磁导率谱，研究了材料微观形貌对材料的谐振频率的影响，讨论了Zn含量对材料的磁导率与谐振频率的影响，探讨了当铁氧体薄片应用于射频识别（RFID）系统时，铁氧体薄片的磁参数对可读写距离的影响，分析了应用不同材料可读写距离存在差异的原因。研究表明，材料的晶粒大部分处于单畴状态时有利于提高材料的谐振频率；随着Zn含量的减小，材料的磁导率逐渐降低、谐振频率逐渐增高。在磁导率虚部较小时，可读写距离与磁导率实部近似成正比。

NiCuZn铁氧体电磁屏蔽片的尺寸设计与表征

采用固相反应法制备NiCuZn系铁氧体粉料,以此粉料为原料采用流延法制备了不同尺寸(长、宽、厚)的电磁屏蔽片。测试并研究了RFID天线的S11(天线回波损耗)曲线以及可读写距离与紧贴其背后的屏蔽片的厚度及长宽尺寸之间的关系。结果表明,改变屏蔽片的厚度与长宽尺寸以及经过裂片处理,可以调节S11曲线吸收峰中心频率的偏移。吸收峰中心频率偏移的减小可以提高RFID卡可读写距离的恢复比例。

NiCuZn铁氧体电磁屏蔽片的制备与表征

分别采用传统陶瓷制备工艺和流延法制备了NiCuZn系铁氧体材料以及长宽为125mm×125mm、厚度为50～200μm的NiCuZn铁氧体电磁屏蔽片。研究了NiCuZn铁氧体材料中的Zn含量对铁氧体电磁屏蔽片磁导率的影响。测试并分析了RFID卡可读写距离恢复比例与其S11曲线以及RFID卡S11曲线与紧贴其背后的铁氧体电磁屏蔽片的磁导率之间的关系。结果表明，适当提高铁氧体材料中的Zn含量，可以提高其电磁屏蔽片的磁导率，从而降低RFID卡S11曲线吸收峰频率的偏移，进而提高RFID卡可读写距离恢复比例。

无线充电和近场通信兼用贫铁MnZn铁氧体材料

采用传统的陶瓷工艺制备贫铁MnZn铁氧体材料Mn0.61Zn0.41Ti0.02Fe1.96O4,并采用流延工艺制备出厚度为100~150μm的贫铁MnZn铁氧体薄片。研究了贫铁MnZn铁氧体材料的微观形貌和晶相结构,测试了贫铁MnZn铁氧体材料的磁性能。研究表明,贫铁Mn Zn铁氧体在低频区域的磁性能与富铁MnZn铁氧体相当,并在13.56 MHz的高频区域仍保持了较高的磁导率。通过运用仿真软件CST模拟NFC（近场通信）天线的场强分布并根据可读写距离测试了铁氧体薄片的屏蔽能力,讨论了贫铁MnZn铁氧体材料同时运用于无线充电及近场通信的可行性。