非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究

利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。