具有非易失存储功能的可逆有机电双稳器件

报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性,并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构,Al/HPYM/Ag,HPYM为一种有机分子材料,通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态(“0”态)、低阻态(“1”态)的转变,相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时,其状态信息可以长时间保持,并且被小电压脉冲读取,两种导电态的阻值比约为105。

一种可擦写可读出的有机电双稳器件

本文报道一种可连续可逆转换的有机电双稳薄膜器件,Al/TPR-1/Al/TPR-1/Al,其中TPR-1为有机分子材料,利用真空蒸发-紫外原位聚合的方法制作成膜.在器件中,两层交联的有机物中间夹一层很薄的铝膜.该器件在较低电压(＜3V)作用时呈现高阻状态,阻值大于108Ω;而在较高电压(约5V)作用时,则为低阻态,阻值约为105Ω.两种状态的电阻值比为103～105.高低阻态均可通过一个较小的电压(1V)读出,并且低阻态可以用反向电压'擦除',回到高阻.

一种分子基电双稳器件

报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件，Al／BN4/Al／BN4/Al．其中功能层为有机／金属/有机的夹层结构，而中间金属层要非常薄．该器件在较低电压作用时呈现高阻状态，阻值在10^6～10^9Ω；而当电压超过某一阈值时，器件导电态发生改变，由高阻态跃迁为低阻态，阻值约为10^2～10^5Ω．两种状态的电阻值比为10^3～10^5．另外，还比较了不同功能层厚度器件的性能．