一种非易失可重置单栅场效应晶体管

针对常规可重置型场效应晶体管(RFET)操作复杂、集成度低和反向泄漏电流较高等问题,提出了一种非易失可重置单栅场效应晶体管(NV-RFET)。新设计利用在漏电极和源电极之间施加电势差对可重置浮栅进行重置,对比现有技术,在断电情况下依然可以长时间记录保持器件的导电类型,无需额外供电的编程栅电极,实现了较低的静态功耗和反向漏电流。对器件的开关控制功能仅通过单个栅电极即可实现,由此简化单元结构的复杂度,易于单元结构互连和集成度的提升。