GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法

测量了应力前后 Ga As PHEMT器件电特性的退化 ,指出了 Ga As PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起 .栅极下 Al Ga As层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分 ,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解释阈值电压漂移中永久性的漂移 .空穴积累来源于场助作用下电子的退陷和沟道中碰撞电离产生的空穴向栅极流动时被俘获 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,可以对 Ga As

宇航用Ⅱ类瓷介电容器应用要求及可靠性分析

介绍了宇航用Ⅱ类瓷介电容器的特点、可靠性表征、典型应用情况,指出航天选型、电装、使用以及贮存和运输的应用要求,分析了典型失效模式、失效现象以及应用注意事项,供设计师参考。

噪声在军用装备电子元器件可靠性评价中的应用

随着我国对国防装备可靠性要求的不断提高，军用装备电子元器件可靠性水平已经成为制约其可靠性的关键影响因素。传统的电子元器件老练筛选、测试手段已经不能满足和适应我国对高可靠性元器件的检测要求。对于大多数电子器件，噪声对于导致器件失效的各种潜在缺陷极其敏感，将电子元器件的噪声水平作为一种检测其可靠性指标的手段已越来越受到人们的青睐，本文详细介绍目前噪声在电子元器件可靠性评价中的应用。