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4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件
被引量:
3
1
作者
张跃
张腾
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黄润华
柏松
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期376-380,共5页
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFE...
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%。提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶。
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关键词
4H-SIC
台阶型沟槽
MOSFET
栅氧化层
尖峰电场
FOM值
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件
被引量:
3
1
作者
张跃
张腾
黄润华
柏松
机构
南京电子器件研究所宽禁带功率半导体器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期376-380,共5页
基金
国家自然科学基金(12035019)。
文摘
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%。提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶。
关键词
4H-SIC
台阶型沟槽
MOSFET
栅氧化层
尖峰电场
FOM值
Keywords
4H-SiC
step trench
MOSFET
gate oxide
peak electric field
FOM value
分类号
TN325. [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件
张跃
张腾
黄润华
柏松
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2022
3
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