相分离Gd_5Ge_4合金的低温磁化行为及温度依赖性研究

系统研究了Gd5Ge4合金的晶体结构和低温磁化行为。结果表明,Gd5Ge4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象。由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变。在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性。随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化。在温度50～60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性。