用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在...用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI展开更多
文摘用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI