利用各向同性半导体晶体差频产生可调谐THz辐射的理论研究

理论研究了利用剩余射线带色散补偿相位匹配原理,在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族光学各向同性的半导体非线性晶体中差频产生可调谐THz波的可行性问题.根据这些半导体材料的色散特性,并以近简并点双共振KTP-OPO的可调谐相干双波长输出作为差频抽运源,对它们的相位匹配能力、差频增益特性、品质因数以及差频过程中的相干长度进行了理论分析和计算,确定了ZnTe晶体是在共线相位匹配情况下较为理想的THz波差频晶体,而InP晶体则更适合用于非共线相位匹配情况.