三种AMR磁头性能比较

各向异性磁电阻磁头(AMR)用于服务器磁带机上的数据储存,并不断推出更高性能的产品。本文分析与比较了Tandberg公司的三种各向异性磁电阻磁头(SLR7、SLR100、LTO2)的设计参数,详细地研究了磁头的关键功能测试参数,如读错误率(Read Error Rate)和Viterbi Distance(VD),从而对影响磁头性能的设计参数有了详细的了解。磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度,对各向异性磁电阻磁头性能起着关键作用,直接影响磁头储存数据的能力。

LTO3制式磁头的优化设计

LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,LTO3是第三代LTO产品,磁头为各向异性磁电阻磁头(AMR)。本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计,如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo的厚度和屏蔽层的参数,对各因素的影响作了定量分析,确定了影响磁头性能的关键因素,从而获得了最佳的设计参数,使磁头有较好的性能和稳定性。

三种LTO磁头性能分析与比较

由惠普、IBM和希捷公司共同开发的线性磁带开放技术(LTO),自问市10周年以来,其驱动器发货量现已超过330万件,是现在服务器储存市场的主流产品。LTO制式产品的前三代产品均采用各向异性磁电阻磁头,本文详细地研究了三代LTO磁头的设计和关键功能参数,结果表明,写线圈的多种设计均能满足产品要求,磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度是影响磁头性能的主要因素,磁头的性能随磁电阻材料NiFe的厚度的减小会有所下降。

LTO2制式磁头的研制

LTO2制式磁头是一种用于服务器的磁带机上的数据记录磁头,为各向异性磁致电阻磁头(AMR),通过对磁头的关键参数进行设计,如磁致电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度,以及它们与屏蔽层的距离,并优化这些参数的组合,获得了良好的性能,磁头的读写错误率(ErrorRate)、ViterbiDistanc(eVD)等关键测试参数均能满足要求。目前,该磁头已批量生产。

LTO3制式磁头的研制

LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,自推向市场以来,不断地推出新产品,并成为这个市场的主流产品。LTO3是第3代LTO产品,磁头为各向异性磁致电阻磁头(AMR),本文通过对磁头的关键参数进行优化设计,如磁致电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo和屏蔽层的参数,获得了良好的性能,写信号的磁道磁场均匀,写电流、Overwrite、信号波形不对称度、输出电压和磁头的原始读错误率(Raw Read Er-ror Rate)等关键测试参数均能满足要求,产品已批量生产。