如何在闸流晶体管生产工艺上制造合格的氧化层

在闸流晶体管制造工艺中,在镓扩散后通过氧化的方法形成二氧化硅保护层,做磷扩散的掩蔽膜,对该掩蔽膜的要求有一定的厚度和致密度,需要在理论上进行分析,工艺上进行控制及测量,并在出现质量问题后进行有效分析和解决。