高速斜撑超越离合器楔合动态响应研究

针对斜撑式超越离合器高速楔合容易产生故障的实际情况,对其楔合动态过程进行研究。工作过程中,斜撑式超越离合器内部楔块之间、楔块与内外环间以及各部件同保持架间存在碰撞。首先基于Hertz接触理论,求解了碰撞刚度,为明确各参数对高速斜撑超越离合器动态响应的影响程度,建立了包括楔合延迟时间、冲击力矩、最大转速差等在内的评价指标。同时,将高速斜撑超越离合器的楔合动态过程进行划分,以研究几何参数对不同响应阶段的影响。最后,开展了楔块与内环的摩擦条件、弹簧力、碰撞刚度、阻尼和负载等对高速斜撑超越离合器楔合动态响应的研究。结果表明,不同参数对所定义的评价指标的影响程度不同,极端情况下可导致楔合失败。该研究可为工程实践提供一定的理论参考和指导。

金丝楔形键合强度的影响规律分析

金丝楔形键合是一种通过超声振动和键合力协同作用来实现芯片与电路引出互连的技术。现今,此引线键合技术是微电子封装领域最重要、应用最广泛的技术之一。引线键合互连的质量是影响红外探测器组件可靠性和可信性的重要因素。基于红外探测器组件,对金丝楔形键合强度的多维影响因素进行探究。从键合焊盘质量和金丝楔焊焊点形貌对键合强度的影响入手,开展了超声功率、键合压力及键合时间对金丝楔形键合强度的影响研究。根据金丝楔焊原理及工艺过程,选取红外探测器组件进行强度影响规律试验及分析,指导实际金丝楔焊工艺,并对最佳工艺参数下的金丝键合拉力均匀性进行探究,验证了金丝楔形键合强度工艺一致性。

楔焊键合工艺焊点完整性控制研究

以引线键合机为对象,研究了引线键合工艺过程中设备机构、工艺流程及参数对焊点完整性的影响。经实验验证,在断丝前,减小劈刀对焊点的压力,同时加以小超声辅助断丝,即可保证焊点的完整性。

阿基米德曲面楔块的PCE型离合器动力学特性分析

根据离合器设计理论,设计了阿基米德曲面楔块的PCE型离合器和单圆弧曲面楔块的PCE型离合器。在对两种PCE型离合器进行三维几何造型基础上,建立其动力学模型,对比分析了阿基米德曲面楔块的PCE型离合器与单圆弧曲面楔块的PCE型离合器的楔合时间、楔入冲击力及稳态楔合力等参数,结果表明阿基米德曲面楔块的PCE型离合器具有楔入迅速、冲击较小、稳态楔合力小的特点,具有较好的综合性能。文中研究为阿基米德曲面楔块的PCE型离合器的设计及应用提供了重要依据。

径向安装误差对斜撑离合器楔合特性影响的仿真

斜撑式超越离合器是关键的航空传动件,针对离合器普遍存在内、外环同心度安装误差的问题,采用动力学仿真分析的方法,对存在径向同心度安装误差时离合器楔合时间和楔块的接触力进行了分析,并与无安装误差离合器楔合特性进行了对比。对比结果表明,存在0.015mm同心度安装误差会使离合器楔合时间变为无径向安装误差的1.5倍,楔合响应速度下降,同时楔块所受接触力增大约50%,冲击力增大约40%。

超声楔键合Au/Al和Al/Au界面IMC演化

基于固体相变理论,研究Au丝、Al丝超声楔-楔键合接头的温度长期可靠性。200℃下,存储时间<48 h时,Au/Al接头界面并未发生明显变化;随着接头存储时间增加,界面金属间化合物(IMC)开始由焊盘向引线方向生长(垂直生长);240 h时,Al焊盘完全被消耗,接头连接界面部位生成Au5Al2,周边为Au2Al;继续增加存储时间,IMC向接头水平方向生长(水平生长),Au5Al2向更稳定的Au2Al转变,IMC与引线之间形成严重的Kirkendall孔洞。Al/Au系统相对稳定得多,界面IMC生长缓慢,然而,界面化合物AuAl2导致接头裂纹,而引线内部出现严重的空洞。对比并分析了两种楔焊系统界面演变特点和产生机制。

关于 JB/T5983-92 多楔带传动设计包角系数 K_α 和楔合系数 K_r 的讨论

讨论了包角系数Ｋα和楔合系数Ｋｒ的计算公式及其关系；指出ＪＢ／Ｔ５９８３－９２中给出的Ｋα数据所存在的问题，给出Ｋα和Ｋｒ的实用计算公式及计算用表。

关于JB/T5983—92多楔带传动设计包角系数K_α和楔合系数K_γ的讨论

本文讨论了K_α和K_T的计算公式与相互关系。指出了JB/T5983—92中K_c数据的问题。同时提供了K_α和K_T的实用公式及计算用表。

超越离合器内星轮对数螺旋楔合面的设计

通过对采用平面楔合面内星轮的超越离合器的受力及摩损对其使用可靠性影响的分析 ,从而提出了用对数螺旋楔合面代替平面楔合面的设计方案 ,并对两种方案进行了比较。

基于新型NiPbAu基底的金丝楔形键合工艺研究

利用楔形键合设备进行金丝在镀镍钯金Ro5880基板上的键合实验。采用正交实验法分析了镀层厚度、键合功率、键合时间、键合温度等工艺参数对楔形键合的影响。同时,在镀镍金Ro5880板上进行了对比试验。研究发现:与镀镍金基板相比,镀镍钯金基板在可焊性、键合强度、成本方面均有着巨大的优势,在电子组装、封装领域有着广阔的应用前景。

基于响应曲面法的硅铝丝楔形键合参数优化

硅铝丝楔形键合是目前混合集成电路中芯片电气互联的关键技术,键合强度和可靠性取决于工艺参数的选择。研究了关键工艺参数,如劈刀高度、超声功率、超声时间和键合压力对键合强度的影响。以提高键合强度作为目标,采用响应曲面法,建立了键合强度与工艺参数之间的响应曲面模型,确定最优的工艺参数组合,通过试验验证了该方法的有效性,达到提高键合工艺可靠性的目的。

分体楔合式管道堵水设备的应用研究

排水管道是城市中不可缺少的基础设施之一,承担着城市“静脉”的作用。据调查结果显示,目前国内大中型城市的管道都面临着大规模改造和更新的问题,在排水管道的施工、维护、检查或抢险过程中,经常需要对正在通水的管道进行临时封堵,否则这些工作将无法正常进行。在调查研究现有临时封堵技术的基础上,综合考虑现场环境、管径、流量、流速、压力、封堵时段、时长等因素,研究了1种分体楔合式管道堵水设备,可以有效实现管道的临时封堵。

引线键合尾丝控制分析及解决方法

引线键合技术是微电子元器件封装工艺流程中的关键工序,是后道封装工艺中电气互连的主要工艺手段。针对高密度精密键合工艺要求,通过全自动引线键合机的送丝机构、键合劈刀结构、焊接参数和断丝工艺参数等四个方面进行尾丝的形成分析,并在全自动引线键合机上进行楔形键合,最终得到形貌良好的键合焊点。

DBC铜线键合工艺参数研究

铜线作为最有发展潜力的新一代键合材料,与铝线相比,具有优异的导电及导热能力。因绝缘栅双极型晶体管(IGBT)需承载大电流,采用铜线可在键合线数量不变的基础上提高电流传输能力和散热能力。采用铜线超声楔形键合对覆铜陶瓷基板(DBC)第一键合点和第二键合点的键合工艺参数进行研究,以剪切力作为衡量键合质量的标准,采用单因素分析法研究各参数对键合点强度的影响,采用正交试验确定最佳工艺参数,为铜线键合工艺的参数设定提供参考及指导方法。

微波电路楔形键合工艺控制

楔形键合可以实现较小的拱弧和线长，是微波电路键合的首选工艺。首选镀金板进行楔形键合强度试验，获得优化的键合参数组合，再应用到LTCC基板和罗杰斯基板上。最终获得了微波电路键合相应的控制方法和一种新的评价键合强度的手段。

超声功率对引线键合强度的影响

采集键合试验的PZT驱动功率及对应键合点的剪切测试力数据,作为超声功率和引线键合强度的表征。试验中的键合力、温度和时间分别设置为4．7 N、室温和100 ms。在这种典型的工业工艺键合参数下,通过改变超声功率比(设定超声功率与最大可调功率之比)来改变超声功率,研究了超声功率对引线键合强度的影响规律。试验中超声功率比在15%～100%之间做了20种设置,共进行了20组1000次键合试验。结果表明:超声功率小于3．5 W时,键合强度受超声功率的影响规律明显,即当超声功率小于1．0 W时,增加超声功率将增加键合强度,并减少剪切测试力为0的情况;大于1．6 W后则反之;而在1．0～1．6 W之间则可获得稳定可靠的键合强度,也就是在上述试验条件下的键合窗口;超声功率超过3．5 W后,规律不明显。此外,超声功率除受超声功率比这(?)可控因素影响外,还受基板质量不均匀、劈刀与铝丝间约束不确定等随机因素影响,超声引线键合是一个敏感的过程。

引线键合技术进展

引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式而在连接方式中占主导地位。对引线键合工艺、材料、设备和超声引线键合机理的研究进展进行了论述与分析,列出了主要的键合工艺参数和优化方法,球键合和楔键合是引线键合的两种基本形式,热压超声波键合工艺因其加热温度低、键合强度高、有利于器件可靠性等优势而取代热压键合和超声波键合成为键合法的主流,提出了该技术的发展趋势,劈刀设计、键合材料和键合设备的有效集成是获得引线键合完整解决方案的关键。

引线键合工艺介绍及质量检验

介绍了引线键合工艺流程、键合材料及键合工具,讨论分析了影响引线键合可靠性的主要工艺参数,说明了引线键合质量的评价方法,并提出了增强引线键合可靠性的措施。

先秦汉语时间复合词的语义关联结构

文章通过统计先秦文献中的单音节时间词,考察先秦时间语素复合成词的情况,发现时间语素之间的语义关联主要通过并合、楔合和意合三种方式来实现,并且不同类型的时间语素之间采取何种方式进行关联也有一定的规律可循,不同历史时期复合词的语义关联方式也呈现出不同特点。

金丝引线键合失效的主要因素分析

通过对金丝引线键合工艺失效模式的研究,分析影响金丝引线键合失效的各种因素,并提出相应的解决措施。为金丝引线键合的实际操作和理论学习提供技术指导,从而更好的降低键合器件的失效率、提高键合产品的成品率和键合效率。