Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用

随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进。文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述。

Si1—xGex合金半导体及其应用

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金及其与Ｓｉ构成的应变层异质结构，量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料，本文着重综述了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的结构，电学，光学性质及其广阔和应用价值。

高压下Al_(0.86)Ga_(0.14)N半导体合金“双模”拉曼声子行为研究

氮化铝镓(AlxGa_(1-x)N)合金是重要的半导体材料,在发光二极管和紫外探测器等领域都有广阔的应用前景。对高铝成分AlxGa_(1-x)N合金的高压行为研究还较为稀少。利用原位拉曼光谱对高铝成分的AlxGa_(1-x)N合金与本征的GaN和AlN进行了对比研究。结果表明,Al原子掺杂引起GaN亚晶格的收缩效应与对本征GaN施加外部正压力的作用效果等效,引起AlN亚晶格的拉伸效应与对本征AlN施加外部负压力的作用效果相似。Al原子掺杂引起Al0.86Ga0.14N晶格的收缩效应在晶胞c轴方向上更显著。研究还发现,Al原子掺杂对类AlN拉曼声子振动模高压行为的影响比类GaN更明显。

半导体合金介电常数的紧束缚计算

采用经验的紧束缚方法,在虚晶近似下,计算了与InP晶格相匹配的半导体合金Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的介电常数虚部.计算时同时考虑了动量矩阵元的效应.

外延Zn_（1－x）Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究

外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅＡｌｌｏｙｓＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒ...

Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。

纳米半导体合金禁带宽度的尺寸、成分效应

基于熔化温度的尺寸效应模型,通过考虑原子间交互作用力,建立纳米半导体合金禁带宽度尺寸、成分效应模型.根据该模型,纳米半导体合金的禁带宽度随尺寸的减小而增大,当纳米尺寸小于5 nm时,禁带宽度随成分的变化接近线性关系.随着尺寸的增大,在弯曲常数的作用下,禁带宽度从近似线性函数转变为非线性函数.函数模型预测结果与实验结果具有很好的一致性,证实模型的有效性.

ASTM半导体键合金丝标准的演化和我国金丝生产标准

以１９６６年到１９９４年的ＡＳＴＭ半导体键合金丝标准的演化过程为依据，详细说明了半导体键合金丝标准正随着其研制水平的提高而日趋充实和完善。我国金丝生产水平通过生产工艺改进、设备精化和环境净化等已经有了可观的提高。

机械合金法制备半导体合金——Retsch高能球磨仪Emax的最新应用分享

传统方法制备不锈钢类合金要求高温下进行熔融,如果需求量很小抑或无法熔融,机械合金法就是一个很好的替代方法,传统上会用行星式球磨仪来完成。20世纪60年代末,美国国际镍公司用机械合金法第一次制备成功耐高温镍铁合金并以此申请专利。机械合金研磨需要有强劲的动能把固体粉末结合在一起,

传统合金型热电材料研究进展

随着热电材料制备方法的多样化和性能表征手段的具体化,合金型热电材料以其优异性能在众多热电材料中脱颖而出,成为拥有高热电性能和高转换率的热电材料。主要介绍了根据适用温度划分的三类传统合金型热电材料:低温热电材料Bi_2Te_3、中温热电材料PbTe和高温热电材料SiGe,重点归纳总结了金属合金热电性能优化方法,最后概述了其实际应用领域并展望其未来的发展前景。

Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金体系热、动力学计算机辅助分析系统

本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库。该库具有以下特点:①库中的数据都是根据严格的热力学关系,通过对体系中各种热力学性质和相平衡数据进行自洽性评估,而后取得体系中各相的热力学参数。②入库的数据与国际接轨,特别是与国际上热力学数据专门委员会——欧洲热化学学科组(SGTE)的数据相一致,有利于今后的发展和相互之间的交流;③数据库具有允许扩充。

自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的拉曼光谱研究

自发有序Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ合金的拉曼光谱研究李国华，刘振先，韩和相，汪兆平，董建荣（中国科学院半导体研究所，半导体扭晶格国家重点实验室北京１０００８３）（中国科学院半导体研究所，半导体材料科学实验室北京１０００８３））ＲａｍａｎＳｃａ...

半导体光学材料及制备

O472.1 97053431ZnS(111)表面电子结构研究=Study of the electronicstructure of ZnS(111)[刊,中]/班大雁,张海峰,李永平,方容川(中国科技大学物理系.安徽.合肥(230026))//物理学报.—1996,45(9).—1526—1535利用Muffin—Tin轨道线性组合(LMTO)法,采用slab模型计算了半导体ZnS(111)表面的电子结构,给出了总体、局域及分波态密度,分析了两种slab模型的表面稳定性和表面态。理论态密度曲线与ZnS(111)表面同步辐射光电子能谱相符合。图9参22(严寒)

InAs基室温中波红外探测器的液相外延生长

材料质量好坏对于获得高性能红外探测器至关重要。提出决定材料质量的关键点在于精准控制材料结构中层与层之间的晶格失配度,报道了晶格失配对材料质量和器件暗电流性能的影响。实验结论表明在液相外延技术生长的InAs/InAsSbP材料体系中,InAs和InAsSbP间的晶格失配不是越小越好,而是有一个最佳值。如果晶格失配偏离这个值,不管是偏大还是偏小,材料的质量都会恶化。阐述了如何调整生长参数以获得合适的晶格失配度。制备了具有适宜晶格失配度的红外探测器件,该探测器零偏压下的室温峰值探测率为6.8×10^(9) cm Hz^(1/2)W^(-1),与国际商用InAs探测器的指标相当。

HgCdTe固态再结晶技术工艺改进

HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成 -淬火 -退火三个过程 ,文中对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进 ,获得了较为满意的结果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好 ,并已做出多种高性能红外探测器。

有序-无序诱导AgBiS_(2)可见-红外光响应调变机制

理想的红外光电材料可以在整个红外区(0.01~1.24 eV)产生红外光响应信号。本文结合特殊准无序结构(SQS)模型和第一性原理计算,研究了AgBiS_(2)的有序与无序结构的光电性质,预测了其有序-无序结构红外光响应的能量区间。计算结果表明,通过改变Ag和Bi占据位置的无序度,可以调控AgBiS_(2)的光学带隙,令其在0.33~1.46 eV范围内连续可调,从而实现大部分中红外、近红外区的光电响应。每分子完全有序和完全无序AgBiS_(2)之间的相转变只需0.11eV·(f.u.)^(-1),即仅通过控制合成温度,就可以精确调控AgBiS_(2)的带隙,从而进一步控制其在可见-红外区的响应范围。

碳化硅材料及技术研究进展

一、引言在半导体材料的发展历史上，通常将硅（Si）、锗（Ge）称作第1代半导体。将砷化镓（GaAs）、磷化钢（InP）、磷化镓（GaP）等为代表的合金半导体称作第2代半导体。

HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进

HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成-淬火-退火三个过程,本文对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的效果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好。

纳米透明隔热涂料的特性与应用

论述了纳米透明隔热涂料的隔热原理,指出了其隔热作用不仅与纳米半导体合金粉体本身的物理结构有关,而且还与粉体的粒径有关。简述了纳米透明隔热涂料的特点和涂料制备方法。对所制备的纳米透明隔热涂料进行了表征,表明其具有良好的隔热作用和高的可见光透过率,起到很好的节能效果,具有极高的应用价值和广阔的市场前景。