XRF法定量分析合金薄膜材料的厚度及组成

本文采用ＸＲＦ分析技术，用Ｃ语言设计运算软件，能无损、快速和精确地同时检测合金薄膜材料的质量厚度及组成含量，并可计算合金膜的体积密度和线性厚度，检测结果的相对误差在３％左右。

Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0．40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响．结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在．C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量．组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层．