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吉位规模DRAM的发展和挑战
1
作者
甘学温
霍宗亮
莫邦燹
《世界科技研究与发展》
CSCD
2000年第2期35-39,共5页
本文从工艺技术、单元结构、单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模DRAM的发展和面临的挑战 ;
关键词
存储单元
存储器
嵌入式
dram
吉拉规模dram
下载PDF
职称材料
题名
吉位规模DRAM的发展和挑战
1
作者
甘学温
霍宗亮
莫邦燹
机构
北京大学微电子所
出处
《世界科技研究与发展》
CSCD
2000年第2期35-39,共5页
文摘
本文从工艺技术、单元结构、单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模DRAM的发展和面临的挑战 ;
关键词
存储单元
存储器
嵌入式
dram
吉拉规模dram
Keywords
memory cell, array structure, sense amplifier, subthreshould current, embedded
dram
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
吉位规模DRAM的发展和挑战
甘学温
霍宗亮
莫邦燹
《世界科技研究与发展》
CSCD
2000
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