1
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超高真空中SrTiO_3薄膜同质外延生长的过程研究 |
李金隆
张鹰
邓新武
刘兴钊
陶伯万
李言荣
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
8
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2
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4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文) |
孙国胜
宁瑾
高欣
攻全成
王雷
刘兴日方
曾一平
李晋闽
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
4
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3
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衬底温度对单晶金刚石同质外延生长的影响规律研究 |
石磊
蒋春磊
牛卉卉
唐永炳
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《集成技术》
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2017 |
3
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4
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4H-SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性(英文) |
孙国胜
高欣
张永兴
王雷
赵万顺
曾一平
李晋闽
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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5
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籽晶台形状对PVT法同质外延生长氮化铝单晶初始生长的影响 |
张刚
付丹扬
李哲
黄嘉丽
王琦琨
任忠鸣
吴亮
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《人工晶体学报》
CAS
北大核心
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2022 |
0 |
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6
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GaN同质外延生长与特性 |
晓予
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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7
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N型4H-SiC同质外延生长 |
贾仁需
张义门
张玉明
王悦湖
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
6
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8
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PVT同质外延生长AlN单晶初期模拟及其实验研究 |
黄嘉丽
王琦琨
贺广东
雷丹
付丹扬
龚建超
任忠鸣
邓康
吴亮
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《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2019 |
3
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9
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氧碳比对MPCVD法同质外延单晶金刚石的影响 |
吴高华
王兵
熊鹰
陶波
黄芳亮
刘学维
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
4
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10
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偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究 |
胡继超
王曦
贾仁需
蒲红斌
陈治明
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《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
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2020 |
0 |
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11
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XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度 |
贾仁需
张玉明
张义门
郭辉
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《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
12
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12
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MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状 |
付方彬
金鹏
刘雅丽
龚猛
吴巨
王占国
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《微纳电子技术》
北大核心
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2016 |
10
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13
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热丝化学气相法生长单晶金刚石颗粒的衬底温度场仿真及实验研究(英文) |
左伟
沈彬
孙方宏
陈明
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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14
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PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战 |
付丹扬
龚建超
雷丹
黄嘉丽
王琦琨
吴亮
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《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
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2020 |
11
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15
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面向化学气相沉积生长单晶金刚石的高导热嵌入型基片托盘设计及其高质量生长工艺研究 |
谷继腾
杨扬
蒋春磊
石磊
牛卉卉
唐永炳
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《集成技术》
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2017 |
0 |
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16
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一种新的量子点形成机制:表面原子的向上扩散运动 |
王恩哥
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《物理》
CAS
北大核心
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2004 |
1
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17
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专利信息 |
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《磨料磨具通讯》
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2017 |
0 |
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