超声喷雾热解法生长氧化锌同质p-n结及其电致发光性能研究

采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结．以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结．采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn／Au和Au／Ge／Ni电极而获得发光二极管原型器件,在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象．

PbS量子点同质P-N结光电探测器

PbS胶体量子点因其带隙可调、可溶液加工、吸收系数高等优异特性而广泛应用于光电探测器领域。然而基于光电二极管结构的PbS量子点光电探测器通常会使用不同的材料来制备N型层,从而增加了器件设计和工艺的复杂性,不利于这类光电探测器未来在面阵成像芯片中的应用。为简化制备工艺,提出了一种PbS量子点同质P-N结光电探测器,仅通过一种工艺过程实现了器件P型层和N型层的制备。经测试,探测器对不同入射光强度的探测表现出了良好的线性响应;在0.5 V反向偏压作用下,器件在700 nm处的响应度为0.11 A/W,比探测率为3.41×10^(11) Jones,展现出了其对弱光探测的优异能力。结果表明文中提出的PbS量子点同质PN结光电探测器有助于推动其在面阵成像领域中的发展。

在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管

用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。

氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性

报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )

量子点自修饰TiO2p-n同质结的构建及光催化性能

在n型TiO2纳米片表面原位沉积p型TiO2量子点构建了量子点自修饰的TiO2p-n同质结(PNT-x),并利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、稳态荧光光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、电化学测试及电化学交流阻抗谱(EIS)对复合物的组成、结构和光催化性能进行了表征和研究.结果表明,PNT-x具有TiO2量子点自修饰的结构,量子点和纳米片中分别含有金属缺陷和氧缺陷,其含量随组成变化可控,并使得PNT-x表现出p-n同质结的典型特征,与n-nⅡ型同质结以及块状p-n同质结相比,PNT-x中费米能级相差更大,界面内电场更强,具有更高的电荷分离和传递效率.光照下,样品的光催化活性顺序为PNT-400>p-25>PNT-600>PNT-200>p-TiO2>n-TiO2,其中PNT-400的光催化产氢速率高达41.7 mmol·g^-1·h^-1,分别为n-TiO2纳米片、Ⅱ型同质结和块状p-n同质结的4.3倍、3.6倍和2.3倍,并表现出优异的催化稳定性.

不同Sb含量p-SnO_2薄膜的制备和特性

采用化学气相沉积方法,利用Sb_2O_3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO_2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件.研究表明,随着Sb含量的增加,样品表面变得平滑,晶粒尺寸逐渐增大,且晶体质量有所改善,发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用.Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO_2呈现p型导电特性,当Sb_2O_3/SnO的质量比为1:5时,其电学参数为最佳值.此外,p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件展现出良好的整流特性,其正向开启电压为3.4 V.