期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析
被引量:
3
1
作者
丁英涛
吴兆虎
+1 位作者
杨宝焱
杨恒张
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期65-69,共5页
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变...
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO2绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.
展开更多
关键词
同轴tsv
BCB介质层
热应力
有限元分析
下载PDF
职称材料
同轴硅通孔热应力诱导界面分层失效研究
2
作者
杨陈
张立文
+2 位作者
杨贺
黄慧霞
曹磊
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第1期73-79,共7页
界面分层失效已成为同轴硅通孔(TSV)应用中重要的热可靠性问题之一。构建有限元分析模型对其热可靠性进行仿真,发现在TSV结构中铜屏蔽环/SiO_(2)界面顶端附近出现明显的热应力集中,可能更易在该界面发生分层失效。为研究结构参数对铜/Si...
界面分层失效已成为同轴硅通孔(TSV)应用中重要的热可靠性问题之一。构建有限元分析模型对其热可靠性进行仿真,发现在TSV结构中铜屏蔽环/SiO_(2)界面顶端附近出现明显的热应力集中,可能更易在该界面发生分层失效。为研究结构参数对铜/SiO_(2)界面分层失效的影响,通过对中心铜导体半径、苯并环丁烯(BCB)厚度、铜屏蔽环厚度、SiO_(2)厚度、硅衬底厚度、TSV高度进行变参分析,计算了该界面分层裂纹尖端能量释放率。结果表明:铜屏蔽环厚度对界面能量释放率影响最大,中心铜导体半径次之,SiO_(2)厚度、硅衬底厚度和TSV高度的影响较小,因此减小铜屏蔽环厚度能够有效提高铜屏蔽环/SiO_(2)界面可靠性。
展开更多
关键词
界面分层
同轴
硅通孔(
tsv
)
有限元分析
热应力
能量释放率
下载PDF
职称材料
题名
BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析
被引量:
3
1
作者
丁英涛
吴兆虎
杨宝焱
杨恒张
机构
北京理工大学信息与电子学院
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期65-69,共5页
基金
国家自然基金资助项目(62074015,61774015)。
文摘
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO2绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.
关键词
同轴tsv
BCB介质层
热应力
有限元分析
Keywords
coaxial
tsv
BCB dielectric layer
thermal stress
finite element analysis
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
同轴硅通孔热应力诱导界面分层失效研究
2
作者
杨陈
张立文
杨贺
黄慧霞
曹磊
机构
河南科技大学信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第1期73-79,共7页
基金
河南省重点研发与推广专项(科技攻关)项目(222102210207)
河南省高等学校重点科研项目(20B510006)。
文摘
界面分层失效已成为同轴硅通孔(TSV)应用中重要的热可靠性问题之一。构建有限元分析模型对其热可靠性进行仿真,发现在TSV结构中铜屏蔽环/SiO_(2)界面顶端附近出现明显的热应力集中,可能更易在该界面发生分层失效。为研究结构参数对铜/SiO_(2)界面分层失效的影响,通过对中心铜导体半径、苯并环丁烯(BCB)厚度、铜屏蔽环厚度、SiO_(2)厚度、硅衬底厚度、TSV高度进行变参分析,计算了该界面分层裂纹尖端能量释放率。结果表明:铜屏蔽环厚度对界面能量释放率影响最大,中心铜导体半径次之,SiO_(2)厚度、硅衬底厚度和TSV高度的影响较小,因此减小铜屏蔽环厚度能够有效提高铜屏蔽环/SiO_(2)界面可靠性。
关键词
界面分层
同轴
硅通孔(
tsv
)
有限元分析
热应力
能量释放率
Keywords
interface delamination
coaxial through silicon via(
tsv
)
finite element analysis
thermal stress
energy release rate
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析
丁英涛
吴兆虎
杨宝焱
杨恒张
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
2
同轴硅通孔热应力诱导界面分层失效研究
杨陈
张立文
杨贺
黄慧霞
曹磊
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部