后摩尔时代的封装技术

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。

微电子重大发展态势分析

从“硅技术是否已出现新的发展态势?”、“推动技术进步的模式是否在演变?”和“在这些演变中我们要注视些什么?”三个方面,探讨主流半导体技术(硅技术)发展阶段特点及其创新走向。分析指出,电子系统设计将在下一波硅技术进步中起着重要的作用,并以此为依据,讨论中电科技集团公司发挥综合优势,在我国电子技术领域中,发挥应有的主力军作用。